公开(公告)号：CN100592534C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN03800999.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 牧村真悟 ,  桥本诚 ,  大川善郎 ,  和田智宏 ,  片冈一典

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种显示装置，无须依赖屏蔽结构能够增强像素晶体管其自身的光电阻；及其制造方法，其中用作像素晶体管的有源层的多晶硅薄膜(111)的平均晶粒尺寸被控制得相对较小，由此限制光漏电流。所述晶粒尺寸越小，则包括的晶体缺陷越多。光照射激发的载流子被缺陷能级快速地补充用以限制光漏电流的增加。另一方面，构成外围晶体管的多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸被控制得相对较大。该晶粒尺寸越大，则载流子迁移率越高，并且因此外围晶体管的驱动能力越高。这是因为由于像素扫描和图像信号取样的需要外围晶体管要求比像素晶体管快的操作。

公开(公告)号：CN1954253B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200580015490.1

申请日：2005-04-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大川善郎 ,  折井俊彦 ,  秋元修

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136259 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136218 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2320/0209

Abstract: 一种液晶显示器，其中，通过降低与相邻线路或元件的耦合噪声以及由其进入的噪声提高图像质量，即使在像素内发生线路短路时也能够告知冗余，并且能够将故障看作好像没有故障一样。在多条垂直信号线(15)和多条水平信号线(17)的交叉处分别设置显示像素，向每条垂直信号线(15)和水平信号线(17)提供屏蔽线(3)，并将屏蔽线(3)的电势设置为使显示像素显示黑色的电平上。

公开(公告)号：CN1954253A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015490.1

申请日：2005-04-14

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大川善郎 ,  折井俊彦 ,  秋元修

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136259 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136218 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2320/0209

Abstract: 一种液晶显示器，其中，通过降低与相邻线路或元件的耦合噪声以及由其进入的噪声提高图像质量，即使在像素内发生线路短路时也能够告知冗余，并且能够将故障看作好像没有故障一样。在多条垂直信号线(15)和多条水平信号线(17)的交叉处分别设置显示像素，向每条垂直信号线(15)和水平信号线(17)提供屏蔽线(3)，并将屏蔽线(3)的电势设置为使显示像素显示黑色的电平上。

公开(公告)号：CN1554123A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03800999.4

申请日：2003-06-06

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 牧村真悟 ,  桥本诚 ,  大川善郎 ,  和田智宏 ,  片冈一典

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/088 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种显示装置，无须依赖屏蔽结构能够增强像素晶体管其自身的光电阻；及其制造方法，其中用作像素晶体管的有源层的多晶硅薄膜(111)的平均晶粒尺寸被控制得相对较小，由此限制光漏电流。所述晶粒尺寸越小，则包括的晶体缺陷越多。光照射激发的载流子被缺陷能级快速地补充用以限制光漏电流的增加。另一方面，构成外围晶体管的多晶硅薄膜的平均晶粒尺寸被控制得相对较大。该晶粒尺寸越大，则载流子迁移率越高，并且因此外围晶体管的驱动能力越高。这是因为由于像素扫描和图像信号取样的需要外围晶体管要求比像素晶体管快的操作。