-
公开(公告)号：CN100468564C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510065215.2
申请日：2005-04-14
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 森山胜利
CPC classification number: G11C11/16 , G11C7/062 , G11C7/067 , G11C13/004 , G11C2207/063
Abstract: 本申请公开了一种数据读出电路，用于通过设置位线的电压为预定的偏置电压并检测阻变存储器(resistance change memory)中流动的电流值，从位于位线和字线相交点的阻变存储器读取存储器数据，该数据读出电路包括通过开关设备连接到位线的电容设备；和连接到开关设备两端的电流源电路，用于给位线提供电流，以使位线的电压和电容设备的电压相等。
-
-
公开(公告)号：CN1701443A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03825374.7
申请日：2003-09-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L43/08 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/222
Abstract: 本发明提供一种互补型磁存储装置，其可以将存储数据精确地写入到一对铁磁隧道结元件中，从而提高了可靠性。互补型磁存储装置中，相反的存储数据存储在第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件中。第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件邻近地形成在半导体基板上。线圈状第一写入布线形成在第一铁磁隧道结元件周围，线圈状第二写入布线形成在第二铁磁隧道结元件周围，使得第一写入布线的缠绕方向和第二写入布线的缠绕方向相反。
-
公开(公告)号：CN1714402B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN03807918.6
申请日：2003-02-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 通过提高使用铁磁隧道结器件的磁存储装置的电迁移的电阻来防止磁存储装置出现故障。使用铁磁隧道结器件的磁存储装置通过在隧道势垒层的上面和背面分别层叠固定磁化层和自由磁化层来形成由铁磁隧道结器件，并且使字线在铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向上延伸以及使位线在与铁磁隧道结器件的固定磁化层的磁化方向垂直方向上延伸，以便允许通过反转流过位线的电流的方向来把两种不同的存储状态写入铁磁隧道结器件中，其中，在写入铁磁隧道结器件时，把流过字线的电流的方向反转到与固定磁化层的磁化方向相同的方向或相反的方向。
-
公开(公告)号：CN100538874C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN03806891.5
申请日：2003-02-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/005 , G11C14/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够高速执行写入操作和读出操作的复合存储电路，由此来提供一种能够实现瞬时接通和瞬时关机功能的半导体装置。复合存储电路是由并联连接的易失性存储电路和非易失性存储电路构成的，并且在非易失性存储电路中存储的信息和易失性存储电路中存储的信息相同。另外，随着对易失性存储电路的供电下降，易失性存储电路中的存储信息被写入非易失性存储电路。在电源故障或供电下降之后恢复供电时再从非易失性存储电路将存储信息送回易失性存储电路。还有一种由所述复合存储电路组成的半导体装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100338777C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN03825374.7
申请日：2003-09-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L43/08 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/222
Abstract: 本发明提供一种互补型磁存储装置，其可以将存储数据精确地写入到一对铁磁隧道结元件中，从而提高了可靠性。互补型磁存储装置中，相反的存储数据存储在第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件中。第一铁磁隧道结元件和第二铁磁隧道结元件邻近地形成在半导体基板上。线圈状第一写入布线形成在第一铁磁隧道结元件周围，线圈状第二写入布线形成在第二铁磁隧道结元件周围，使得第一写入布线的缠绕方向和第二写入布线的缠绕方向相反。
-
公开(公告)号：CN1643614A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806891.5
申请日：2003-02-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/005 , G11C14/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够高速执行写入操作和读出操作的复合存储电路，由此来提供一种能够实现瞬时接通和瞬时关机功能的半导体装置。复合存储电路是由并联连接的易失性存储电路和非易失性存储电路构成的，并且在非易失性存储电路中存储的信息和易失性存储电路中存储的信息相同。另外，随着对易失性存储电路的供电下降，易失性存储电路中的存储信息被写入非易失性存储电路。在电源故障或供电下降之后恢复供电时再从非易失性存储电路将存储信息送回易失性存储电路。还有一种由所述复合存储电路组成的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN1643613A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806404.9
申请日：2003-03-17
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C7/02 , G11C7/1006 , G11C7/1078 , G11C7/22 , G11C2207/2263
Abstract: 本发明的目的是在用于存储数据的数据存储电路中，提供功率节省的数据存储电路和在该数据存储电路中的数据写入方法、以及数据存储设备。因此，在本发明中，在执行向存储元件M写入新数据之前，执行读出存储于存储元件M中的现存数据，以比较现存数据与新数据。该数据存储电路配置成以便于在现存数据与新数据彼此相同的情况下，不执行向存储元件M写入，而在现存数据与新数据彼此不同的情况下，执行向存储元件M写入新数据。该数据存储电路形成在半导体衬底上以具有数据存储设备。
-
公开(公告)号：CN100550193C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN03808694.8
申请日：2003-04-16
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/06 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 一种能够精确地读出存储在可变电阻存储元件中的数据的存储装置。该存储装置使用可变电阻存储元件，根据所存储数据的两种类型，这种可变电阻存储元件的电阻值在具有比参考电阻值高的电阻值的高电阻状态和具有比参考电阻值低的电阻值的低电阻状态之间变化。在两个设置为不同电位的参考电位端子之间，安排了并联的参考电路与存储电路。该参考电路由串联的电阻元件和参考电阻元件组成。该存储电路由串联的电阻元件和可变电阻存储元件组成。安排该参考电阻元件使得该电阻值可以修正。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.016 seconds)
