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公开(公告)号：CN118946167A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411004746.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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公开(公告)号：CN118946166A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411004635.9
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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公开(公告)号：CN112424967A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047487.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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公开(公告)号：CN118946168A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411004906.0
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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公开(公告)号：CN112424967B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980047487.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118435718A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280076353.2
申请日：2022-12-20
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H10K30/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H10K30/86 , H10K39/32
Abstract: 本发明提供了一种能够实现更高响应速度的光电转换元件、成像装置和电子设备。本公开实施方案的第一光电转换元件(10)包括：第一电极(11)；与第一电极(11)相对设置的第二电极(16)；有机层(13)，其设置在第一电极(11)和第二电极(16)之间并且包含空穴传输材料；功函数调整层(15)，其设置在第二电极(16)和所述有机层(13)之间并且具有大于第一电极(11)的功函数的电子亲和力或功函数；和电子阻挡层(14)，其设置在所述有机层(13)和所述功函数调整层(15)之间并且具有413以上的各向异性电极化率或1.84debye以上的分子内偶极矩。
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公开(公告)号：CN117652031A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280049904.6
申请日：2022-03-16
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H01L27/146 , H04N23/54
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的摄像元件设置有：第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；有机层，所述有机层布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少包括光电转换层；以及第一半导体层，所述第一半导体层布置在所述第二电极与所述有机层之间并且具有4.5eV以上且6.0eV以下的电子亲和力，同时包含第一含碳化合物和第二含碳化合物，所述第一含碳化合物具有大于4.8eV的电子亲和力或大于所述第二电极的功函数的电子亲和力，所述第二含碳化合物具有大于5.5eV的电离电位。
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公开(公告)号：CN118104415A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280069107.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H10K30/60 , H01L27/146
Abstract: 根据本公开实施方案的有机半导体膜包含具有结晶性的有机半导体材料、具有载流子传输性并且在XRD光谱中的15°以上且30°以下的衍射角(2θ)范围内具有三个结晶峰。
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公开(公告)号：CN112992968A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110182765.1
申请日：2016-07-14
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种通过顺次层叠至少第一电极、有机光电转换层和第二电极而构成的图像拾取元件，所述有机光电转换层包含具有以下结构式(1)的第一有机半导体材料。
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