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公开(公告)号：CN118946167A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411004746.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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公开(公告)号：CN118946166A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411004635.9
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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公开(公告)号：CN112424967A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980047487.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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公开(公告)号：CN118946168A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411004906.0
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112424967B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980047487.X
申请日：2019-07-25
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
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公开(公告)号：CN117652031A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280049904.6
申请日：2022-03-16
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H01L27/146 , H04N23/54
Abstract: 根据本发明的一个实施方案的摄像元件设置有：第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；有机层，所述有机层布置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少包括光电转换层；以及第一半导体层，所述第一半导体层布置在所述第二电极与所述有机层之间并且具有4.5eV以上且6.0eV以下的电子亲和力，同时包含第一含碳化合物和第二含碳化合物，所述第一含碳化合物具有大于4.8eV的电子亲和力或大于所述第二电极的功函数的电子亲和力，所述第二含碳化合物具有大于5.5eV的电离电位。
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公开(公告)号：CN102403458A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110265536.2
申请日：2011-09-08
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L27/2472 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了存储元件和存储装置，所述存储元件和所述存储装置均具有较小范围的元件间电特性差异。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括电阻变化层和离子源层，所述电阻变化层包括多个层，这些层中的可移动原子的扩散系数相互不同，所述离子源层布置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件，所述脉冲施加部选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲。在本发明的存储元件或者存储装置中，能够防止擦除后在所述电阻变化层中产生任何可能的电子定域格点。这就减小了元件间的电特性差异的范围。
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公开(公告)号：CN102403457A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110257398.3
申请日：2011-09-01
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0011 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了存储元件和存储装置，在该存储元件和该存储装置中，通过对形成在电阻变化层内部的定域格点进行去活化来使擦除状态保持稳定。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括电阻变化层和离子源层，所述电阻变化层包含n型掺杂剂或p型掺杂剂，并且所述电阻变化层设置在所述第一电极侧，所述离子源层设置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件。所述脉冲施加部选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲。本发明的存储元件和存储装置能够使所述电阻变化层的在擦除状态下的电阻值稳定化，从而降低了制造的不合格元件的数量，并因此实现了容量的增大。
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公开(公告)号：CN102403457B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110257398.3
申请日：2011-09-01
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0011 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了存储元件和存储装置，在该存储元件和该存储装置中，通过对形成在电阻变化层内部的定域格点进行去活化来使擦除状态保持稳定。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括电阻变化层和离子源层，所述电阻变化层包含n型掺杂剂或p型掺杂剂，并且所述电阻变化层设置在所述第一电极侧，所述离子源层设置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件。所述脉冲施加部选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲。本发明的存储元件和存储装置能够使所述电阻变化层的在擦除状态下的电阻值稳定化，从而降低了制造的不合格元件的数量，并因此实现了容量的增大。
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