公开(公告)号：CN103531557A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310258509.1

申请日：2013-06-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 友田胜宽 ,  平尾直树 ,  畑田出穂

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L29/78663 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02327 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16

Abstract: 本发明提供一种能够减少残留在元件与基板之间的区域中的镀液的器件以及包括所述器件的电子装置，所述器件包括：基板；以及所安装的功能元件，功能元件包括电极。基板包括支撑基板，并在支撑基板上包括第一籽晶金属、第二籽晶金属及树脂组件，第一籽晶金属设置于与电极中的第一电极的部分或全部相对的区块中，并通过镀覆而连接至第一电极，第二籽晶金属设置于与电极中的第二电极的部分或全部相对的区块中，并通过镀覆而连接至第二电极，以及树脂组件设置于功能元件与支撑基板之间的层中，并用于将功能元件固定至支撑基板，且被设置成避开功能元件的位于第一籽晶金属与第二籽晶金属的相对侧部之间的端部的近旁。

公开(公告)号：CN103531557B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201310258509.1

申请日：2013-06-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 友田胜宽 ,  平尾直树 ,  畑田出穂

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L29/78663 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02327 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/16

Abstract: 本发明提供一种能够减少残留在元件与基板之间的区域中的镀液的器件以及包括所述器件的电子装置，所述器件包括：基板；以及所安装的功能元件，功能元件包括电极。基板包括支撑基板，并在支撑基板上包括第一籽晶金属、第二籽晶金属及树脂组件，第一籽晶金属设置于与电极中的第一电极的部分或全部相对的区块中，并通过镀覆而连接至第一电极，第二籽晶金属设置于与电极中的第二电极的部分或全部相对的区块中，并通过镀覆而连接至第二电极，以及树脂组件设置于功能元件与支撑基板之间的层中，并用于将功能元件固定至支撑基板，且被设置成避开功能元件的位于第一籽晶金属与第二籽晶金属的相对侧部之间的端部的近旁。

公开(公告)号：CN107369675A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710325337.3

申请日：2013-06-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 友田胜宽 ,  平尾直树 ,  畑田出穂

IPC: H01L25/075 ,  H01L31/02 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明提供一种能够减少残留在元件与基板之间的区域中的镀液的器件以及包括所述器件的电子装置，所述器件包括：基板；多个发光元件，所述多个发光元件安装在所述基板上；多条第一布线，所述多条第一布线被构造为经由多个第一导电接续部与所述多个发光元件连接；和多条第二布线，所述多条第二布线被构造为经由多个第二导电接续部与所述多个发光元件连接；其中，所述多个发光元件被构造为包括经由所述第一导电接续部和所述第二导电接续部与所述第一布线和所述第二布线连接的多个电极。

公开(公告)号：CN104253054B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410181198.8

申请日：2014-04-30

Applicant: 索尼公司

Inventor： 畑田出穂 ,  大鸟居英 ,  冈修一 ,  柳川周作

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明涉及半导体装置，该半导体装置包括：基底基板，在所述基底基板上布置有基板电极；以及半导体元件，所述半导体元件包括通过焊料与所述基板电极电连接的芯片电极，且在所述半导体元件的下表面侧上形成有光吸收层。根据本发明，可利用激光束来移除半导体元件，且无需覆盖光吸收材料。这样，在不增加制造成本的情况下，可从半导体装置中仅移除失效半导体元件。

公开(公告)号：CN107369675B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201710325337.3

申请日：2013-06-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 友田胜宽 ,  平尾直树 ,  畑田出穂

IPC: H01L25/075 ,  H01L31/02 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明提供一种能够减少残留在元件与基板之间的区域中的镀液的器件以及包括所述器件的电子装置，所述器件包括：基板；多个发光元件，所述多个发光元件安装在所述基板上；多条第一布线，所述多条第一布线被构造为经由多个第一导电接续部与所述多个发光元件连接；和多条第二布线，所述多条第二布线被构造为经由多个第二导电接续部与所述多个发光元件连接；其中，所述多个发光元件被构造为包括经由所述第一导电接续部和所述第二导电接续部与所述第一布线和所述第二布线连接的多个电极。

公开(公告)号：CN104253054A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410181198.8

申请日：2014-04-30

Applicant: 索尼公司

Inventor： 畑田出穂 ,  大鸟居英 ,  冈修一 ,  柳川周作

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/799 ,  H01L24/98 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明涉及半导体装置，该半导体装置包括：基底基板，在所述基底基板上布置有基板电极；以及半导体元件，所述半导体元件包括通过焊料与所述基板电极电连接的芯片电极，且在所述半导体元件的下表面侧上形成有光吸收层。根据本发明，可利用激光束来移除半导体元件，且无需覆盖光吸收材料。这样，在不增加制造成本的情况下，可从半导体装置中仅移除失效半导体元件。