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公开(公告)号：CN106953005B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201611035933.X
申请日：2012-07-25
申请人： 索尼公司
摘要： 本发明涉及磁性元件和存储装置，其中，该磁性元件包括：自由磁化层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
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公开(公告)号：CN103988293B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201280057912.1
申请日：2012-10-31
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/8246 , G11B5/39 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/161 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11C11/15 , G11C11/155 , G11C11/1675 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 【问题】提供一种能够在短时间内执行写操作而不产生写入错误的存储元件和存储装置。【解决方案】该存储元件被配置为具有层状结构，该层状结构包括：存储层，其磁化方向根据信息而变化；磁化固定层，其磁化方向是固定的；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间、由非磁性体产生。磁化固定层分层为在其间具有耦合层的至少两个铁磁层，该两个铁磁层经由耦合层磁耦合。该两个铁磁层的磁化方向从膜表面的垂直方向倾斜。通过这种配置，可以有效地抑制存储层的磁化方向与固定磁化层的磁化方向变得粗略平行或反平行所产生的磁化反转时间的分散，并且可以减少写入错误以及支持短时间的写入。
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公开(公告)号：CN102403027B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201110259029.8
申请日：2011-09-02
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 本发明披露了存储元件和存储装置，所述存储元件包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化；磁化固定层，具有垂直于膜表面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层和磁化固定层之间，其中在层结构的层叠方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化并执行信息的记录，存储层接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，对于绝缘层以及在与绝缘层相对的一侧上存储层接触的另一侧的层，至少与存储层接触的界面由氧化膜形成。
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公开(公告)号：CN102403025B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110255449.9
申请日：2011-08-31
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/161
摘要： 本发明公开了包括存储元件和存储装置，其中该存储元件包括层结构，该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且其磁化方向相应于信息而变化；磁化固定层，具有垂直于膜面的磁化；以及绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间。在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化，并且对存储层执行信息记录，存储层所接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，并且存储层和磁化固定层具有使界面磁各向异性能变得大于反磁场能的膜厚。
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公开(公告)号：CN102790171B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210143618.4
申请日：2012-05-09
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要： 本发明公开了存储元件和存储装置，该存储元件包括存储层，利用磁性物质的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作存储在存储层中的信息的基准的磁化；中间层，设置于存储层和磁化固定层之间并且由非磁性物质形成；磁性耦合层，被设置为邻接于磁化固定层并且与中间层相对；以及高矫顽力层，被设置为邻接于磁性耦合层，其中，通过利用伴随着在包括存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转，使存储层的磁化反转来存储信息，以及磁性耦合层为两层层压结构。
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公开(公告)号：CN104662654A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380049226.4
申请日：2013-08-22
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/8246 , G11B5/39 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： G11C11/161 , G11B5/3909 , G11C2213/35 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 提供一种TMR特性能得到改进的存储单元、配备有存储单元的存储装置、以及磁头。存储单元具有层状结构，该层状结构包括：存储层，其中磁化方向与信息对应地改变；磁化固定层，具有与膜表面垂直、作为存储层中存储的信息的基准的磁化；以及中间层，设置在存储层与磁化固定层之间并由非磁性材料制成。碳被插入中间层，并且沿着层状结构的堆叠方向提供电流使得改变存储层中的磁化方向以将信息记录在存储层。
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公开(公告)号：CN101923889B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010201355.9
申请日：2010-06-09
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3277 , H01L43/08 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要： 本发明公开了存储装置和存储器。存储装置包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；第一中间层和第二中间层，被设置为夹置存储层并且均由绝缘体形成；第一固定磁性层，被设置在第一中间层的与存储层相对的侧上；第二固定磁性层，被设置在第二中间层的与存储层相对的侧上；以及非磁性导体层，被设置在第一中间层或者第二中间层和存储层之间，存储装置被配置为，在堆叠方向上向其注入自旋极化电子以改变存储层的磁化方向，从而将信息存储在存储层中。
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公开(公告)号：CN103137855A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210488520.2
申请日：2012-11-26
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/02
摘要： 本发明公开一种存储元件和存储设备。存储元件具有层叠的结构，包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，并且磁化方向取决于信息而变化，并包括Co-Fe-B磁性层，磁化方向通过在层叠结构的层叠方向施加电流以在存储层中记录信息而改变，磁化固定层，其具有与变成存储在存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化，以及中间层，其由非磁性材料形成，并设置在存储层和磁化固定层之间；第一氧化层和第二氧化层。
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公开(公告)号：CN103137854A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210487968.2
申请日：2012-11-26
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： G11C11/161
摘要： 本发明公开了存储元件和存储装置。一种存储元件包括分层结构。该分层结构包括存储层、磁化固定层和中间层。存储层具有与膜面垂直的磁化，其中该磁化的方向取决于信息而改变，并且该磁化的方向通过在分层结构的层压方向上施加电流而被改变从而将信息记录在存储层中。磁化固定层具有成为存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，并且具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构。该非磁层包括Cr。中间层由非磁材料形成并且被设置在存储层和磁化固定层之间。
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公开(公告)号：CN102769100A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210129098.1
申请日：2012-04-27
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/10
摘要： 本发明涉及存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；磁化固定层，具有用作存储在存储层中的信息的基准的磁化；中间层，由非磁性材料形成，并且介于存储层和磁化固定层之间；保护层，被设置为与存储层相邻并且在中间层的相反侧；以及金属保护层，被设置为与保护层相邻并且在存储层的相反侧。
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