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公开(公告)号：CN101923889B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010201355.9
申请日：2010-06-09
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3277 , H01L43/08 , Y10S977/933 , Y10S977/935
摘要： 本发明公开了存储装置和存储器。存储装置包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；第一中间层和第二中间层，被设置为夹置存储层并且均由绝缘体形成；第一固定磁性层，被设置在第一中间层的与存储层相对的侧上；第二固定磁性层，被设置在第二中间层的与存储层相对的侧上；以及非磁性导体层，被设置在第一中间层或者第二中间层和存储层之间，存储装置被配置为，在堆叠方向上向其注入自旋极化电子以改变存储层的磁化方向，从而将信息存储在存储层中。
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公开(公告)号：CN101930988A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010207322.5
申请日：2010-06-18
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/005 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C17/16 , G11C29/50 , G11C2029/4402 , Y10S977/935
摘要： 一种存储器，包括多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，该隧道磁阻效应器件包含：磁化自由层，其中，磁化方向能够被反转；隧道阻挡层，包括绝缘材料；以及磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向。该存储器还包括：随机存取存储区，其中，使用存储设备的磁化自由层的磁化方向来记录信息；以及只读存储区，其中，根据存储设备的隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。
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公开(公告)号：CN101937686B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010219837.7
申请日：2010-06-24
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/79
摘要： 一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
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公开(公告)号：CN101937686A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010219837.7
申请日：2010-06-24
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/79
摘要： 一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
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公开(公告)号：CN101930988B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010207322.5
申请日：2010-06-18
申请人： 索尼公司
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/005 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C17/16 , G11C29/50 , G11C2029/4402 , Y10S977/935
摘要： 一种存储器，包括多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，该隧道磁阻效应器件包含：磁化自由层，其中，磁化方向能够被反转；隧道阻挡层，包括绝缘材料；以及磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向。该存储器还包括：随机存取存储器区，其中，使用存储设备的磁化自由层的磁化方向来记录信息；以及只读存储器区，其中，根据存储设备的隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。
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公开(公告)号：CN101743634A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024446.0
申请日：2008-06-30
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L43/08 , H01L27/105 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , H01L27/228
摘要： 本发明提供了一种不需要增大写入电流就能提高热稳定性的存储元件和存储器。该存储器的构造包括：存储元件(3)，具有根据磁性物质的磁化状态保持信息的存储层(17)，其中，在存储层(17)上设置磁化固定层(31)，其间插入有中间层(16)，中间层(16)由绝缘体形成，并且存储层(17)的磁化方向M1通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将信息记录到存储层(17)，并将变形从存在于存储层(17)周围且热膨胀系数小于存储层(17)的绝缘层施加到存储层(17)上；以及配线，用于提供在存储元件(3)的层压方向上流动的电流。
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公开(公告)号：CN101930792B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010205846.0
申请日：2010-06-17
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/161
摘要： 本发明提供了存储器和写入控制方法，该存储器包括：存储器件，具有：存储层，将数据存储为磁体的磁化状态，以及磁化固定层，其磁化方向通过介于存储层与磁化固定层之间的非磁性层而固定，并且该存储器件通过当施加沿存储层和磁化固定层的堆叠方向流动的写入电流时改变存储层的磁化方向，来将数据存储在存储层中；以及电压控制单元，通过使用由两个以上的独立脉冲序列而构成的写入电压，而将由两个以上的独立脉冲序列构成的写入电流提供给该存储器件。
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公开(公告)号：CN101743634B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880024446.0
申请日：2008-06-30
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L43/08 , H01L27/105 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , H01L27/228
摘要： 本发明提供了一种不需要增大写入电流就能提高热稳定性的存储元件和存储器。该存储器的构造包括：存储元件(3)，具有根据磁性物质的磁化状态保持信息的存储层(17)，其中，在存储层(17)上设置磁化固定层(31)，其间插入有中间层(16)，中间层(16)由绝缘体形成，并且存储层(17)的磁化方向M1通过在层压方向上注入自旋极化的电子而发生改变，从而将信息记录到存储层(17)，并将变形从存在于存储层(17)周围且热膨胀系数小于存储层(17)的绝缘层施加到存储层(17)上；以及配线，用于提供在存储元件(3)的层压方向上流动的电流。
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