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公开(公告)号：CN1453608A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122526.8
申请日：2003-04-18
IPC: G02F1/133 , B05B1/00 , H01L21/3205
CPC classification number: H05K3/125 , G02F2001/136295 , H01J9/02 , H01J2217/49207 , H01L51/0004 , Y10T428/24917
Abstract: 一种导电膜配线的形成方法，通过液体喷出机构(10)将含有金属微粒的第1液体材料配置在基板(11)上，并在基板上形成所定图案的导电膜配线时，在些之前预先将基板(11)的表面针对于液体材料控制成疏液性，同时通过液体喷出机构(10)将不同于第1液体材料的第2液体材料配置在基板(11)上，形成提高对基板(11)的导电膜配线的密接力的中间层W1。根据这种构成，本发明可以提供可实现导电膜配线的细线化的同时可提高对于基板的导电膜配线的密接力的导电膜配线的形成方法。
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公开(公告)号：CN1284997C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN03122526.8
申请日：2003-04-18
CPC classification number: H05K3/125 , G02F2001/136295 , H01J9/02 , H01J2217/49207 , H01L51/0004 , Y10T428/24917
Abstract: 一种导电膜配线的形成方法，通过液体喷出机构(10)将含有金属微粒的第1液体材料配置在基板(11)上，并在基板上形成所定图案的导电膜配线时，在些之前预先将基板(11)的表面针对于液体材料控制成疏液性，同时通过液体喷出机构(10)将不同于第1液体材料的第2液体材料配置在基板(11)上，形成提高对基板(11)的导电膜配线的密接力的中间层W1。根据这种构成，本发明可以提供可实现导电膜配线的细线化的同时可提高对于基板的导电膜配线的密接力的导电膜配线的形成方法。
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公开(公告)号：CN113490643A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201980093060.3
申请日：2019-11-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C01G30/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , H01M10/0562 , H01B1/06 , H01B1/08 , C04B35/488 , C04B35/50
Abstract: 本发明提供即使在1000℃以下的温度进行烧结也能够实现高锂离子传导率的固体电解质的前体组合物。本申请的固体电解质的前体组合物是包含Li、La、Zr以及M的石榴石型或类石榴石型的固体电解质的前体组合物，M是Nb、Ta、Sb中的一种以上的元素，固体电解质中的Li:La:Zr:M的组成比是7‑x:3:2‑x:x，满足0＜x＜2.0，在X射线衍射图谱中，衍射角2θ是28.4°、32.88°、47.2°、56.01°、58.73°时显示出X射线衍射强度的峰。
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公开(公告)号：CN100409042C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610128814.9
申请日：2003-04-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种在利用多喷嘴头在基板上形成一定的图形时能够在所需的位置喷出液滴的器件的制造方法。在基板(101)上喷出液滴时，在基板(101)上设定由喷出液滴的多个单位区域构成的位图。在设定单位区域时，将液滴喷出头(1)的喷嘴(10)的间隔设为a、单位区域Y轴方向上的大小设为by时，设定单位区域以便满足by＝a/n(n为正整数)的条件。
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公开(公告)号：CN1278429C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200310119520.6
申请日：2003-12-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78618 , H01L29/78636
Abstract: 一种晶体管及这种晶体管的制造方法，当设计布线结构时，该晶体管允许高自由度并且还可以允许实现产品质量的提高。该晶体管包括源区、漏区、沟道区以及栅绝缘膜和栅电极，每个所述的源区、漏区、沟道区由半导体膜形成。包含源区的半导体膜和包含漏区的半导体膜分离地形成，夹住了绝缘部分的两侧。包含沟道区的半导体膜形成于绝缘部分的顶部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119425321A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411024435.X
申请日：2024-07-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: B01D53/22
Abstract: 本公开提供一种能够将气体分离膜的表面上的预定的气体成分的浓度维持得较高，抑制分离效率的降低的气体分离膜单元及气体分离装置。气体分离膜单元的特征在于，具有：气体分离膜，所述气体分离膜使向第一面供给的混合气体所含的预定的气体成分向作为所述第一面的背面的第二面透过来进行分离；气体流路部，所述气体流路部具有划定用于所分离的所述预定的气体成分流动的内部空间的壁体；以及第一凸状结构体，所述第一凸状结构体从所述气体分离膜的所述第一面和所述壁体的外表面的至少一方突出。
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公开(公告)号：CN100443929C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610128815.3
申请日：2003-04-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02B5/20 , B05C5/02 , G02F1/1335
Abstract: 本发明提供一种在利用多喷嘴头在基板上形成一定的图形时能够在所需的位置喷出液滴的器件的制造方法。在基板(101)上喷出液滴时，在基板(101)上设定由喷出液滴的多个单位区域构成的位图。在设定单位区域时，将液滴喷出头(1)的喷嘴(10)的间隔设为a、单位区域Y轴方向上的大小设为by时，设定单位区域以便满足by＝a/n(n为正整数)的条件。
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公开(公告)号：CN100353496C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN03110610.2
申请日：2003-04-21
Applicant: 精工爱普生株式会社 , 日商捷时雅股份有限公司
IPC: H01L21/208 , H01L21/205 , H01L31/04 , C23C18/00 , C01B33/00 , C01B33/107
CPC classification number: C08G77/60 , C01B33/04 , C09D183/16 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628
Abstract: 本发明提供一种高级硅烷组合物，其特征在于其中含有经对具有光聚合性的硅烷化合物的溶液或具有光聚合性的液体硅烷化合物照射紫外线光聚合而成的高级硅烷化合物。而且本发明还提供一种硅膜的形成方法，其特征在于将上述高级硅烷组合物涂布在基板上。上述高级硅烷组合物由于含有分子量更大的高级硅烷化合物，所以从在基板上涂布时的湿润性、沸点和安全性的观点来看，能够特别容易形成优质硅膜。
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公开(公告)号：CN1280664C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN03123149.7
申请日：2003-04-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1341 , B05B1/00 , B05D1/02 , B41J2/01
CPC classification number: C03C17/001 , H01L27/3244 , H01L51/0005 , H01L51/56 , Y10T428/12604
Abstract: 本发明提供一种在利用多喷嘴头在基板上形成一定的图形时能够在所需的位置喷出液滴的器件的制造方法。在基板(101)上喷出液滴时，在基板(101)上设定由喷出液滴的多个单位区域构成的位图。在设定单位区域时，将液滴喷出头(1)的喷嘴(10)的间隔设为a、单位区域Y轴方向上的大小设为by时，设定单位区域以便满足by＝a/n(n为正整数)的条件。
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公开(公告)号：CN1300445A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00800465.X
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/042 , H01L21/208
Abstract: 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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