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公开(公告)号：CN100493918C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610129151.2
申请日：2006-09-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14233
Abstract: 本发明提供一种使用液滴喷出装置形成良好的全面状图案的层形成方法。在使用对具备多个喷嘴的喷头，使表面在第1方向上相对移动的同时从上述多个喷嘴中喷出液滴的液滴喷出装置的情况下，层形成方法包括：第1工序，将第1液滴分别配置到上述表面上的2个基准区域的每一个内、设置与上述2个基准区域相对应而独立的2个图案；第2工序，固定上述2个图案；第3工序，在上述第2工序后对上述表面进行亲液化；和第4工序，在上述第3工序后将第2液滴配置在上述2个基准区域之间而将上述2个图案相连。
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公开(公告)号：CN1921067A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610126156.X
申请日：2006-08-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/48 , H05K3/12
Abstract: 层形成方法，包含：第1工序，该工序在基底表面的2个部位的每一个上，配置第1液滴，以便在所述基底表面上形成互相孤立的2个圆点状图案；第2工序，该工序使所述2个圆点状图案固定在所述基底表面上；第3工序，该工序至少使所述2个圆点状图案之间的所述基底表面对第2液滴而言亲液化；第4工序，该工序在所述第3工序之后，在所述2个圆点状图案之间的所述基底表面，配置连接所述2个圆点状的图案的所述第2液滴。在这里，所述第3工序，也可以包含在固定的所述2个圆点状图案的每一个上分别配置第3液滴的工序。提供将液滴配置在基底表面后设置良好的浓密状图案的方法。
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公开(公告)号：CN112583376B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202011039139.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 水垣浩一
Abstract: 提供振动器件，该振动器件是小型的。振动器件具有：半导体衬底，其具有处于正反关系的第1面和第2面；集成电路，其设置于所述第1面；第1端子，其设置于所述第2面，被施加衬底电位；第2端子，其设置于所述第2面，被施加与所述衬底电位不同的电位；第1贯通电极，其贯通所述半导体衬底，将所述第1端子与所述集成电路电连接；第2贯通电极，其贯通所述半导体衬底，将所述第2端子与所述集成电路电连接；框部，其贯通所述半导体衬底，具有绝缘性；振动片，其配置于所述第1面；以及盖，其与所述第1面接合，所述第1贯通电极位于所述框部的外侧，所述第2贯通电极位于所述框部的内侧。
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公开(公告)号：CN101190600A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196108.2
申请日：2007-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 水垣浩一
IPC: B41J2/04 , B41J2/07 , G02F1/1335
CPC classification number: B41J2/04588 , B41J2/0456 , B41J2/04573 , B41J2/04581
Abstract: 本发明提供一种提高喷出液滴所形成的膜图案的膜厚均一性的液滴喷出头的驱动方法、液滴喷出装置和电光装置。对于多个喷嘴的每一个，把与喷出的液滴的重量对应的“1”～“4”的等级进行对应关联。为了使喷出的液滴的实际重量变为预先规定的给定的基准重量，生成与各等级的喷嘴对应的驱动波形信号COM(第一驱动波形信号COMA、第二驱动波形信号COMB、第三驱动波形信号COMC、第四驱动波形信号COMD)。然后，对根据描画数据选择的各压电元件，供给与喷嘴的等级对应的驱动波形信号COM，从选择的喷嘴喷出基准重量的液滴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316865A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310760562.5
申请日：2023-06-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/311 , H01L21/3205
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，使电极焊盘与贯通电极的电连接稳定，提高半导体装置的成品率。在半导体装置的制造方法中，形成从半导体基板的第一面贯通至第二面的第一贯通孔，在半导体基板的第一面以及第一贯通孔的侧面形成第二绝缘膜，从半导体基板的第一面一直到第一贯通孔的侧面的靠第一面侧的端部，在第二绝缘膜的表面配置抗蚀剂，将抗蚀剂作为掩模对第二绝缘膜进行湿式蚀刻，利用有机绝缘膜覆盖半导体基板的第一面以及第一贯通孔的侧面，在有机绝缘膜的表面形成第二导电膜。
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公开(公告)号：CN101002245A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580026981.6
申请日：2005-08-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/00
Abstract: 提供了一种电光装置基板及其检测方法，其能够在无需使探测器从外部与其相接触的情况下以令人满意的测量精度实现检测。本发明的基板1包括穿过多个开关元件的视频线7和传输门部分6，从而将第一电势信号通过信号线写入多个像素中。该基板1还包括具有差分放大器4a的显示数据读取电路部分4，从而降低较低电势并且提高较高电势，并且将其输出到信号线和传输门部分6和视频线7，从而读取第一电势信号和基准第二电势信号。
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公开(公告)号：CN1226748C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02146361.1
申请日：2002-10-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 水垣浩一
CPC classification number: G11C7/22 , G11C8/18 , G11C11/4076
Abstract: 本发明提供了一种半导体存储装置。本发明涉及一种即使在外部提供的地址处发生地址偏离，也能够生成适当的ATD信号的技术。设定ATD信号的从上升沿到下降沿的H电平时间周期(即ATD信号的脉冲宽度)不小于预先设定的可允许地址偏离范围，同时又不大于从ATD信号上升时，即刷新操作开始时，到刷新操作结束之间的时间。
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公开(公告)号：CN1494156A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN02143603.7
申请日：2002-09-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 水垣浩一
CPC classification number: G11C7/04 , G11C11/406
Abstract: 本发明涉及模拟SRAM之类的半导体存储装置，实现与SRAM同等的低消耗电流。本发明的半导体存储装置包括与存储单元在同一半导体衬底上形成的pn接合区域中，包括设定在截止状态的特定的pn接合区域，具有在所述特定的pn接合区域输出漏电流的温度检测元件，以及根据由温度检测元件输出的漏电流，检测半导体存储装置温度变化的温度检测单元；和按照温度检测单元的检测结果，控制更新同步信号产生周期的温度特性控制单元。
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