公开(公告)号：CN1477432A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03133074.6

申请日：2003-07-24

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横川孙幸

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3688 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2310/06 ,  G09G2320/0214

Abstract: 图象信号处理电路，输出图象信号VID1～VID6。数据线驱动电路140，用时钟CLK和启动信号ENB产生用来对图象信号VID1～VID6进行取样的取样控制信号。定时发生器200，在含有时钟CLK的前沿或后沿定时的期间以外的期间内，设定使取样成为可能的启动信号有效期间。借助于此，在对图象信号进行取样的定时处，时钟CLK就不会上升或下降，因而可以防止由时钟产生的高频噪声向图象信号内的混入。

公开(公告)号：CN1991537B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610171492.6

申请日：2006-12-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横川孙幸 ,  中村定一郎

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337 ,  G09F9/35

Abstract: 本发明的电光装置使取向膜和该取向膜的下层膜间的紧密接合性提高，防止水分向有效像素区域进入而使耐湿性提高，能防止取向膜在摩擦处理时从该取向膜的下层膜剥离。电光装置通过密封材料(52)对向配置第1基板(10)和第2基板(20)，在第1基板(10)和第2基板(20)之间的至少有效像素区域存在有液晶(50)；其特征在于，具备：形成于第1基板(10)的紧接着地位于密封材料(52)的下方的取向膜(16)，和取向膜(16)的下层的下层膜(60)；在取向膜(16)和下层膜(60)之间的平面性地至少覆盖密封材料(52)的区域(41)，形成与取向膜(16)及下层膜(60)紧密接合的透明导电膜(40)。

公开(公告)号：CN101162305A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710152439.6

申请日：2007-10-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横川孙幸

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/133512 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0408

Abstract: 本发明提供对由UV光照射产生的数据线驱动电路等劣化进行抑制的电光装置。液晶装置(1)具备仅与设置于图像显示区域(10a)的周边区域的周边电路部中的扫描线驱动电路(104)及数据线驱动电路(101)重叠的遮光膜(201a及201b)。遮光膜(201a及201b)形成于与TFT阵列基板(10)具备的多层的一部分层同一层。利用遮光膜(201a及201b)，当液晶装置(1)的制造时，从TFT阵列基板(10)侧向密封材料(54)或封固部(156)照射UV光时，能够遮挡照射于数据线驱动电路(101)及扫描线驱动电路(104)分别具有的TFT等的半导体元件的UV光，能减少这些半导体元件由于UV光所受的损伤。

公开(公告)号：CN1991537A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171492.6

申请日：2006-12-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 横川孙幸 ,  中村定一郎

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1337 ,  G09F9/35

Abstract: 本发明的电光装置使取向膜和该取向膜的下层膜间的紧密接合性提高，防止水分向有效像素区域进入而使耐湿性提高，能防止取向膜在摩擦处理时从该取向膜的下层膜剥离。电光装置通过密封材料(52)对向配置第1基板(10)和第2基板(20)，在第1基板(10)和第2基板(20)之间的至少有效像素区域存在有液晶(50)；其特征在于，具备：形成于第1基板(10)的紧接着地位于密封材料(52)的下方的取向膜(16)，和取向膜(16)的下层的下层膜(60)；在取向膜(16)和下层膜(60)之间的平面性地至少覆盖密封材料(52)的区域(41)，形成与取向膜(16)及下层膜(60)紧密接合的透明导电膜(40)。