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公开(公告)号：CN103529574A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310279410.X
申请日：2013-07-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 中村定一郎
CPC classification number: G09G3/34 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2310/08
Abstract: 本发明公开一种电光装置和电子设备。该电光装置中，对扫描线驱动电路供给第一恒定电位的第1恒定电位布线、和对时钟缓冲器电路供给第一恒定电位的第2恒定电位布线电分离。
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公开(公告)号：CN101017269A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710007057.4
申请日：2007-02-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 中村定一郎
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133502 , G02F2001/133565
Abstract: 在液晶装置等的电光装置中，有效地使透过率提高，进行高质量的显示。电光装置具备：TFT阵列基板(10)，和由设置于TFT阵列基板(10)的ITO膜构成的像素电极(9a)。而且，具备：在TFT阵列基板(10)上叠层于TFT阵列基板(10)和像素电极(9a)之间，具有TFT阵列基板(10)的折射率和像素电极(9a)的折射率的中间的大小的折射率，并且，膜厚在55～100nm的范围内的光学薄膜(91)。
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公开(公告)号：CN105988257A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610136312.4
申请日：2016-03-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 中村定一郎
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/136209 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/78633
Abstract: 本发明提供一种能有效阻隔朝向半导体层斜向地行进的光的电光学装置以及电子设备。在电光学装置的元件基板(10)中，遮光性的第1金属层(6)之中，数据线(6a)(第1布线)在俯视下与半导体层(1a)重叠，中继电极(6b，第1中继电极)中，第1布线(6a)侧的端部(6b1)沿半导体层(1a)在Y方向(第1方向)上延伸并隔着第1间隙(g1)与数据线(6a)相对。在第1金属层(6)与像素电极(9a)的层间形成遮光性的第2金属层(8)，由第2金属层8之中的恒电位线(8a)的第1伸出部(8e)构成在俯视下与第1间隙(g1)重叠的第1遮光部(8s)。第1金属层(6)以及第2金属层(8)都包括铝层，电阻低且OD值几乎无限大。
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公开(公告)号：CN101004522B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710004207.6
申请日：2007-01-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1218 , G02F1/136213 , G02F2201/40 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供一种可以适应小型化、高精密化的要求并且可以使像素区域开口率得到飞跃性提高的电光装置、电子设备及投影机。由于在TFT阵列基板(10)的像素间区域，相对基板面设有凹部(10a)，电容元件(17)的一部分及数据线(6a)、扫描线(3a)等布线的一部分设置在该凹部(10a)内，因而可以减小这些电容元件(17)及布线在像素间区域内占有的面积。因而，能够相应地将液晶装置小型化，收窄像素间区域，也就是说可以扩宽像素区域。据此，可以适应小型化、高精密化的要求，并且可以使像素区域开口率得到飞跃性提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106932981A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710236382.1
申请日：2013-01-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 中村定一郎
IPC: G02F1/1345 , G02F1/133
Abstract: 本发明提供液晶装置以及电子设备。其中，与周边电极用布线电连接的第3外部连接用端子配置于与数据信号供给布线电连接的第1外部连接用端子和与扫描信号供给布线电连接的第2外部连接用端子之间，周边电极用布线配置为，与数据信号供给布线以及扫描信号供给布线俯视不交叉。
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公开(公告)号：CN103207486A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310009142.X
申请日：2013-01-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 中村定一郎
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1333 , G02F1/133512 , G02F1/134309 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F2001/133388 , G02F2001/13629
Abstract: 本发明提供液晶装置以及电子设备。其中，与周边电极用布线电连接的第3外部连接用端子配置于与数据信号供给布线电连接的第1外部连接用端子和与扫描信号供给布线电连接的第2外部连接用端子之间，周边电极用布线配置为，与数据信号供给布线以及扫描信号供给布线俯视不交叉。
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公开(公告)号：CN1991537B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610171492.6
申请日：2006-12-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G09F9/35
Abstract: 本发明的电光装置使取向膜和该取向膜的下层膜间的紧密接合性提高，防止水分向有效像素区域进入而使耐湿性提高，能防止取向膜在摩擦处理时从该取向膜的下层膜剥离。电光装置通过密封材料(52)对向配置第1基板(10)和第2基板(20)，在第1基板(10)和第2基板(20)之间的至少有效像素区域存在有液晶(50)；其特征在于，具备：形成于第1基板(10)的紧接着地位于密封材料(52)的下方的取向膜(16)，和取向膜(16)的下层的下层膜(60)；在取向膜(16)和下层膜(60)之间的平面性地至少覆盖密封材料(52)的区域(41)，形成与取向膜(16)及下层膜(60)紧密接合的透明导电膜(40)。
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公开(公告)号：CN101004522A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710004207.6
申请日：2007-01-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1218 , G02F1/136213 , G02F2201/40 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供一种可以适应小型化、高精密化的要求并且可以使像素区域开口率得到飞跃性提高的电光装置、电子设备及投影机。由于在TFT阵列基板(10)的像素间区域，相对基板面设有凹部(10a)，电容元件(17)的一部分及数据线(6a)、扫描线(3a)等布线的一部分设置在该凹部(10a)内，因而可以减小这些电容元件(17)及布线在像素间区域内占有的面积。因而，能够相应地将液晶装置小型化，收窄像素间区域，也就是说可以扩宽像素区域。据此，可以适应小型化、高精密化的要求，并且可以使像素区域开口率得到飞跃性提高。
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公开(公告)号：CN1991537A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610171492.6
申请日：2006-12-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1337 , G09F9/35
Abstract: 本发明的电光装置使取向膜和该取向膜的下层膜间的紧密接合性提高，防止水分向有效像素区域进入而使耐湿性提高，能防止取向膜在摩擦处理时从该取向膜的下层膜剥离。电光装置通过密封材料(52)对向配置第1基板(10)和第2基板(20)，在第1基板(10)和第2基板(20)之间的至少有效像素区域存在有液晶(50)；其特征在于，具备：形成于第1基板(10)的紧接着地位于密封材料(52)的下方的取向膜(16)，和取向膜(16)的下层的下层膜(60)；在取向膜(16)和下层膜(60)之间的平面性地至少覆盖密封材料(52)的区域(41)，形成与取向膜(16)及下层膜(60)紧密接合的透明导电膜(40)。
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