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公开(公告)号：CN1838427B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610068084.8
申请日：2006-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/5271 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L51/5206 , H01L51/5265 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明提供一种发光装置以及具备该发光装置的电子设备。在有机EL装置(1)中，虽然多个像素(100)分别与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)对应，但构成有机EL元件(10)的空穴输送层(13)以及发光层(14)等有机功能层的材质不管所对应的颜色如何，都是一样的。在各像素(100)中构成光谐振器(40)，根据阳极层(12)的厚度，将光谐振器(40)的光学长度设定成与红色光、绿色光、蓝色光的任一种对应的长度。在光谐振器(40)的下层侧的反射层(19)与阳极层(12)之间，形成由硅氮化膜等构成的绝缘保护层(18)。这样，即使在形成因像素不同而厚度不同的阳极时，位于阳极下层侧的光谐振器用的下层侧反射层也不会产生劣化。
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公开(公告)号：CN1838427A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610068084.8
申请日：2006-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/5271 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L51/5206 , H01L51/5265 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明提供一种发光装置以及具备该发光装置的电子设备。在有机EL装置(1)中，虽然多个像素(100)分别与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)对应，但构成有机EL元件(10)的空穴输送层(13)以及发光层(14)等有机功能层的材质不管所对应的颜色如何，都是一样的。在各像素(100)中构成光谐振器(40)，根据阳极层(12)的厚度，将光谐振器(40)的光学长度设定成与红色光、绿色光、蓝色光的任一种对应的长度。在光谐振器(40)的下层侧的反射层(19)与阳极层(12)之间，形成由硅氮化膜等构成的绝缘保护层(18)。这样，即使在形成因像素不同而厚度不同的阳极时，位于阳极下层侧的光谐振器用的下层侧反射层也不会产生劣化。
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公开(公告)号：CN1725500A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510086066.8
申请日：2005-07-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 在具备基体及形成于该基体上的半导体膜的薄膜半导体装置中，在所述基体上设有内部电路(主电路部)(17)，保护电路部(18)、端子部(19)。在所述保护电路部(18)上，设有保护电路元件(181，182)，其具有所述半导体膜的PIN二极管，以及介于该PIN二极管的I层和绝缘膜对向配置的浮置电极。能够提供一种可构成可对内部电路良好保护免受浪涌电压影响的保护电路，对于因过大电压而被破坏时电路结构不产生故障，且具有优良的可靠性的电路元件的薄膜半导体装置。
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公开(公告)号：CN100499075C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610105833.X
申请日：2006-07-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种场致发光装置的制造方法，其中：在基板上形成多个像素形成区域；在所述多个像素形成区域每一个上分别设置层叠透光性的阳极、至少包含发光层的发光功能层、阴极的发光元件；所述像素形成区域至少包含第一色的像素形成区域、与所述第一色不同的第二色的像素形成区域；所述阳极包含在所述第一色的像素形成区域以第一厚度形成的第一阳极、在所述第二色的像素形成区域以第二厚度形成的第二阳极；该制造方法包含：在所述第一色的像素形成区域形成从所述第一厚度减去所述第二厚度的厚度的第一透明导电膜的第一步骤；在所述第一色的像素形成区域和所述第二色的像素形成区域形成所述第二厚度的第二透明导电膜的第二步骤。
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公开(公告)号：CN101183197A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710166897.5
申请日：2007-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 松本友孝
IPC: G02F1/1362 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/00
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F1/133371 , G02F1/13338 , G02F1/133512 , G02F2001/13312 , G06F3/042 , H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 提供一种简化了制造工艺并且提高了光传感器元件的设计自由度的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法以及包括它的电子设备。液晶显示装置包括设置在子像素区域的每个中并对子像素区域的驱动进行开关控制的TFT元件、以及与TFT元件在同一层上形成并对设置在光检测区域中的光传感器元件21进行开关控制的TFT元件22，连接于光传感器元件21的下部电极57与连接于TFT元件22的连接电极56在同一层上形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646687A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210033147.1
申请日：2012-02-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14645
Abstract: 本发明提供一种具有可降低漏电流(暗电流)的光电转换部的光电转换装置以及使用该光电转换装置的电子设备。本适用例的光电转换装置，其特征在于，具备：在基板上形成的电路部，与电路部电气连接的第1电极(21)，与第1电极(21)相对配置的具有透光性的第2电极(22)，在第1电极(21)和第2电极(22)之间配置的光电转换部(26)；光电转换部(26)由光吸收层(23)、非晶质的氧化物半导体层(24)和窗层(25)层叠而成，所述光吸收层(23)是由黄铜矿型的p型化合物半导体膜构成，所述窗层(25)由n型半导体膜构成。
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公开(公告)号：CN1897252A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610105833.X
申请日：2006-07-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种场致发光装置的制造方法，其中：在基板上形成多个像素形成区域；在所述多个像素形成区域每一个上分别设置层叠透光性的阳极、至少包含发光层的发光功能层、阴极的发光元件；所述像素形成区域至少包含第一色的像素形成区域、与所述第一色不同的第二色的像素形成区域；所述阳极包含在所述第一色的像素形成区域以第一厚度形成的第一阳极、在所述第二色的像素形成区域以第二厚度形成的第二阳极；该制造方法包含：在所述第一色的像素形成区域形成从所述第一厚度减去所述第二厚度的厚度的第一透明导电膜的第一步骤；在所述第一色的像素形成区域和所述第二色的像素形成区域形成所述第二厚度的第二透明导电膜的第二步骤。
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公开(公告)号：CN101950734A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010261067.2
申请日：2006-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/5271 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L51/5206 , H01L51/5265 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明提供一种发光装置以及具备该发光装置的电子设备。在有机EL装置(1)中，虽然多个像素(100)分别与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)对应，但构成有机EL元件(10)的空穴输送层(13)以及发光层(14)等有机功能层的材质不管所对应的颜色如何，都是一样的。在各像素(100)中构成光谐振器(40)，根据阳极层(12)的厚度，将光谐振器(40)的光学长度设定成与红色光、绿色光、蓝色光的任一种对应的长度。在光谐振器(40)的下层侧的反射层(19)与阳极层(12)之间，形成由硅氮化膜等构成的绝缘保护层(18)。这样，即使在形成因像素不同而厚度不同的阳极时，位于阳极下层侧的光谐振器用的下层侧反射层也不会产生劣化。
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公开(公告)号：CN101231406A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810005115.4
申请日：2008-01-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 松本友孝
IPC: G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1333 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种即使在树脂膜和像素电极之间另外形成绝缘膜也不会增加形成贯通孔的工序数量而使制造工序简化的液晶显示装置及其制法及电子设备。元件基板(21)具有：树脂膜(35)、形成在该树脂膜上且在上表面形成像素电极(11)的覆盖膜(36)、覆盖像素电极且在上表面形成共用电极(45)的电极绝缘膜(37)、形成在电极绝缘膜上且使像素电极和TFT元件(12)导通的连接电极(46)、和形成在覆盖膜的下层且与共用电极导通的共用线(42)；连接电极经由贯通电极绝缘膜的贯通孔(H7)而与像素电极连接，同时经由贯通覆盖膜和电极绝缘膜的贯通孔(H8)而与TFT元件导通；共用电极经由贯通覆盖膜和电极绝缘膜的贯通孔(H6)而与共用线导通。
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公开(公告)号：CN102646687B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210033147.1
申请日：2012-02-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14645
Abstract: 本发明提供一种具有可降低漏电流(暗电流)的光电转换部的光电转换装置以及使用该光电转换装置的电子设备。本适用例的光电转换装置，其特征在于，具备：在基板上形成的电路部，与电路部电气连接的第1电极(21)，与第1电极(21)相对配置的具有透光性的第2电极(22)，在第1电极(21)和第2电极(22)之间配置的光电转换部(26)；光电转换部(26)由光吸收层(23)、非晶质的氧化物半导体层(24)和窗层(25)层叠而成，所述光吸收层(23)是由黄铜矿型的p型化合物半导体膜构成，所述窗层(25)由n型半导体膜构成。
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