公开(公告)号：CN1089744A

公开(公告)日：1994-07-20

申请号：CN93117451.1

申请日：1993-07-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川濑健夫 ,  石田方哉 ,  根桥聡 ,  下川渡聡 ,  御子柴俊明 ,  保科彰治 ,  高桑敦可 ,  宫泽弘

IPC: G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10591 ,  G11B11/10582 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10586 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 光磁记录载体，在透明基板(11)上叠层沉积有第1电介质层(12)、记录层(13)、辅助记录层(14)、第2电介质层(15)和反射层(16)。记录层由过渡金属-稀土金属非晶质合金构成，通常具有数百左右的厚度；辅助记录层也是由过渡金属-稀土金属非晶质合金构成，其居里温度Tc2比记录层的居里温度Tc1高10K以上，其层厚度极薄，在70以下。在记录层的居里温度Tc1情况下，辅助记录层的矩形比是0.7以上。

公开(公告)号：CN1051629C

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN93117451.1

申请日：1993-07-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川濑健夫 ,  石田方哉 ,  根桥聡 ,  下川渡聡 ,  御子柴俊明 ,  保科彰治 ,  高桑敦可 ,  宫泽弘

IPC: G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10591 ,  G11B11/10582 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10586 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 一种光磁记录载体，制造方法和制造装置，其特征在于，所述记录载体由过渡金属－稀土金属组成的记录层及叠层在其上的辅助记录层构成。记录层数百A厚，居里温度为Tcl。辅助记录层厚度在70A以下，居里温度为Tc2，矩形比在0.3以上。Tc2－Tc1>10K。制造装置包含第一靶、第二靶，第一靶表面最大磁力线密度低于第二靶表面的最大磁力线密度。按照本发明，解决了已往难以在受调磁场强度低于±100Oe下的磁场调制记录，具有足够高的CN比。

公开(公告)号：CN1033654A

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN88106744

申请日：1988-09-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 青山明 ,  下川渡聡 ,  山岸敏彦

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B11/10589 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183

Abstract: 本发明涉及溅射用靶及其制造方法。本发明靶的主要组成含有稀土族金属(RE)及过渡金属(TM)，其金相组织由RE相、RE-TM合金相与TM相三相组成。本发明靶可与各种溅射装置配合，成膜时其组成分布和磁特性分布都很均匀。本发明靶含氧量低、填充密度高，即使在大气中长时间停放，溅射亦从开始就处于稳定，膜磁特性同样也从开始就处于稳定。利用本发明靶可制成由电介质膜与光磁记录膜构成的性能优良的光磁记录介质。