公开(公告)号：CN1089744A

公开(公告)日：1994-07-20

申请号：CN93117451.1

申请日：1993-07-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川濑健夫 ,  石田方哉 ,  根桥聡 ,  下川渡聡 ,  御子柴俊明 ,  保科彰治 ,  高桑敦可 ,  宫泽弘

IPC: G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10591 ,  G11B11/10582 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10586 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 光磁记录载体，在透明基板(11)上叠层沉积有第1电介质层(12)、记录层(13)、辅助记录层(14)、第2电介质层(15)和反射层(16)。记录层由过渡金属-稀土金属非晶质合金构成，通常具有数百左右的厚度；辅助记录层也是由过渡金属-稀土金属非晶质合金构成，其居里温度Tc2比记录层的居里温度Tc1高10K以上，其层厚度极薄，在70以下。在记录层的居里温度Tc1情况下，辅助记录层的矩形比是0.7以上。

公开(公告)号：CN1332316C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410011987.3

申请日：2004-09-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 保科彰治

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G06F9/5016 ,  G06F12/0207 ,  G06F12/023

Abstract: 本发明提供一种适合于减少存储器使用量和简化程序的存储器管理设备。当已经输入区域分配请求时，根据存储器管理表400查找具有由包括在区域分配请求中的区域大小信息所确定大小的区域作为候选区域。并且从存储器管理表400中读取对应于与该候选区域在其低地址方向上接续的邻接区域的重叠标志，并根据该重叠标志，确定该邻接区域是否是允许重叠分配的区域。如果确定该区域是允许重叠分配的区域，就分配与该邻接区域重叠的使用区域。

公开(公告)号：CN1601486A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410011987.3

申请日：2004-09-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 保科彰治

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G06F9/5016 ,  G06F12/0207 ,  G06F12/023

Abstract: 本发明提供一种适合于减少存储器使用量和简化程序的存储器管理设备。当已经输入区域分配请求时，根据存储器管理表400查找具有由包括在区域分配请求中的区域大小信息所确定大小的区域作为候选区域。并且从存储器管理表400中该取对应于与该候选区域在其低地址方向上接续的邻接区域的重叠标志，并根据该重叠标志，确定该邻接区域是否是允许重叠分配的区域。如果确定该区域是允许重叠分配的区域，就分配与该邻接区域重叠的使用区域。

公开(公告)号：CN1051629C

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN93117451.1

申请日：1993-07-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川濑健夫 ,  石田方哉 ,  根桥聡 ,  下川渡聡 ,  御子柴俊明 ,  保科彰治 ,  高桑敦可 ,  宫泽弘

IPC: G11B11/10

CPC classification number: G11B11/10591 ,  G11B11/10582 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10586 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: 一种光磁记录载体，制造方法和制造装置，其特征在于，所述记录载体由过渡金属－稀土金属组成的记录层及叠层在其上的辅助记录层构成。记录层数百A厚，居里温度为Tcl。辅助记录层厚度在70A以下，居里温度为Tc2，矩形比在0.3以上。Tc2－Tc1>10K。制造装置包含第一靶、第二靶，第一靶表面最大磁力线密度低于第二靶表面的最大磁力线密度。按照本发明，解决了已往难以在受调磁场强度低于±100Oe下的磁场调制记录，具有足够高的CN比。