公开(公告)号：CN103871462A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310566574.0

申请日：2013-11-14

申请人： 科洛斯巴股份有限公司

发明人： H·纳扎里安 ,  桑·阮

IPC分类号： G11C11/56

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C5/12 ,  G11C7/062 ,  G11C11/02 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/2297 ,  G11C11/34 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/78 ,  Y10T29/41

摘要： 本发明具体涉及电阻型随机存取存储器的均衡及感测，提供了一种可以结合存储器操作来减轻潜通路电流的两端存储器架构。通过举例，可以应用电压模拟机制来将所述存储器架构的未被选定的位线动态地驱动至由选定的位线所观测得到的电压。根据这些方面，还可以将所述被选定的位线所观测到的变化施加给所述未被选定的位线。这样可以有助于减少或避免在所述被选定位线与所述未被选定的位线之间的电压差，从而减少或避免在所述存储器架构的各个位线之间的潜通路电流。此外，根据本发明的其他方面，提供基于输入/输出的配置来促进潜通路电流的减少。

公开(公告)号：CN103871462B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310566574.0

申请日：2013-11-14

申请人： 科洛斯巴股份有限公司

发明人： H·纳扎里安 ,  桑·阮

IPC分类号： G11C11/56

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C5/12 ,  G11C7/062 ,  G11C11/02 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/2297 ,  G11C11/34 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/78 ,  Y10T29/41

摘要： 本发明具体涉及电阻型随机存取存储器的均衡及感测，提供了一种可以结合存储器操作来减轻潜通路电流的两端存储器架构。通过举例，可以应用电压模拟机制来将所述存储器架构的未被选定的位线动态地驱动至由选定的位线所观测得到的电压。根据这些方面，还可以将所述被选定的位线所观测到的变化施加给所述未被选定的位线。这样可以有助于减少或避免在所述被选定位线与所述未被选定的位线之间的电压差，从而减少或避免在所述存储器架构的各个位线之间的潜通路电流。此外，根据本发明的其他方面，提供基于输入/输出的配置来促进潜通路电流的减少。

公开(公告)号：CN114730794A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202180006606.4

申请日：2021-04-06

申请人： 科洛斯巴股份有限公司

发明人： 赵星贤 ,  H·纳扎里安 ,  桑·阮 ,  J·盖伊 ,  Z·李

IPC分类号： H01L27/24

摘要： 公开了一种半导体装置，其包括多个双端电阻开关装置(420)，其中与电阻开关层(324)接触的电极(322)具有大于2nm的均方根表面粗糙度(425、427)，并且两个电阻开关装置的本征特性的相关系数在‑0.1至0.1的范围内。半导体芯片上的电阻开关装置的随机物理特性可以用于产生用于该半导体芯片的电子识别的独特数据，以验证与该半导体芯片的通信或产生加密密钥。