公开(公告)号：CN114086119A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111446845.X

申请日：2021-12-01

申请人： 福建福晶科技股份有限公司

发明人： 钟强 ,  马新建 ,  吴先云 ,  廖洪平 ,  陈伟 ,  陈秋华

IPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  G02B1/10

摘要： 本发明涉及一种改善光学元件面形的薄膜制备方法。通过具有张应力的高折射率膜层对现有薄膜应力进行匹配，减弱薄膜应力对光学元件面形的不利影响，从而改善光学元件面形。此方法显著改善了光学元件面形，并且可以减少工序，降低成本。

公开(公告)号：CN112526649A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011555804.X

申请日：2020-12-25

申请人： 福建福晶科技股份有限公司

发明人： 钟强 ,  马新建 ,  吴先云 ,  廖洪平 ,  陈伟 ,  陈秋华

IPC分类号： G02B1/115

摘要： 本发明涉及一种提高光学元件激光损伤阈值的方法。主要通过膜系设计优化，即在基片和高折射率膜层之间增加一层低折射率膜层，来提升光学元件激光损伤阈值。此方法显著改善了光学元件激光损伤阈值，并且具有简单易行、成本低的特点。

公开(公告)号：CN115437058A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211169741.3

申请日：2022-09-26

申请人： 福建福晶科技股份有限公司

发明人： 钟强 ,  马新建 ,  吴先云 ,  廖洪平 ,  陈伟 ,  陈秋华

IPC分类号： G02B5/30 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06

摘要： 一种谐振光栅偏振器及制备方法，该制备方法主要在于：利用双离子源轰击的方法，调整Si和N元素比例，从而制备出折射率可调的氮化硅薄膜，通过可调折射率的氮化硅薄膜，生长出具有希望衍射效率的谐振光栅偏振器，所述氮化硅薄膜上可以具有二氧化硅层，在光栅中起到减反的作用，让光能够更多的透过光栅。本发明通过对靶材和反应气体轰击的离子源功率独立控制，使得氮元素和硅元素比例及折射率可调节，并且得到牢固度性能优异的氮化硅薄膜材料；使得能够在最低在室温下，不用额外的加热源制备氮化硅薄膜材料。