公开(公告)号：CN105428217B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510814405.3

申请日：2015-11-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明公开了一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法，其是采用真空蒸发法，在两层硫化铟薄膜之间蒸发一层很薄的Cu，然后通过热退火使得Cu扩散到硫化铟薄膜中，达到制备Cu掺杂硫化铟薄膜的目的。本发明可以通过控制蒸发Cu的量来控制掺杂浓度，从而起到不同程度降低薄膜电阻率的目的。本发明制备的薄膜可用于作为太阳能电池的缓冲层。

公开(公告)号：CN106024963B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201610571961.7

申请日：2016-07-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳 ,  董丽美

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。

公开(公告)号：CN105957926B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201610571895.3

申请日：2016-07-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳 ,  董丽美

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。

公开(公告)号：CN106024963A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610571961.7

申请日：2016-07-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳 ,  董丽美

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。

公开(公告)号：CN105428217A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510814405.3

申请日：2015-11-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/225 ,  H01L21/3245 ,  H01L31/03042

Abstract: 本发明公开了一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法，其是采用真空蒸发法，在两层硫化铟薄膜之间蒸发一层很薄的Cu，然后通过热退火使得Cu扩散到硫化铟薄膜中，达到制备Cu掺杂硫化铟薄膜的目的。本发明可以通过控制蒸发Cu的量来控制掺杂浓度，从而起到不同程度降低薄膜电阻率的目的。本发明制备的薄膜可用于作为太阳能电池的缓冲层。

公开(公告)号：CN105957926A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610571895.3

申请日：2016-07-20

Applicant: 福州大学

Inventor： 俞金玲 ,  郑重明 ,  程树英 ,  赖云锋 ,  郑巧 ,  周海芳 ,  董丽美

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/24 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明公开了一种调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，并在铜锌锡硫薄膜上面用真空热蒸发法在不同的基片温度下生长了硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，达到调控铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶，从而达到优化铜锌锡硫/硫化铟异质结带阶的目的。此外，本发明所用的方法简单，可操作性强，调节效果显著，容易实现，可用于铜锌锡硫薄膜太阳能电池缓冲层的制备。