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公开(公告)号：CN115666199A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211570490.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种QLED阵列器件的直接光刻法制备方法，包括：在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层和图案化发光层、电子传输层、金属阴极。其中，图案化发光层是通过将含光敏剂的可交联半导体聚合物和量子点共混形成墨水，经过旋涂、曝光和显影后实现。本发明不仅对量子点表面配体无损害，不限制量子点种类以及配体类型，也有利于提高空穴传输能力，以制备出高性能图案化QLED器件。
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