公开(公告)号：CN107903712A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711142406.3

申请日：2017-11-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈惠鹏 ,  郭太良 ,  孙大卫 ,  张国成

IPC: C09D11/38 ,  C09D11/36 ,  C09D11/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09D11/38 ,  C09D11/30 ,  C09D11/36 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开一种喷墨打印技术中的半导体金属氧化物墨水的优化工艺，属于氧化物半导体技术和印刷电子技术领域，该工艺通过掺杂的方式改善薄膜性能，且掺杂比例可调，掺杂效果显著。该溶液以半导体氧化物前驱体及其对应溶剂作为基础溶液，通过加入第二溶剂及相应的有机聚合物制备成复合溶液完成墨水掺杂。本发明制作的有源层采用喷墨打印的方式制作，与基础溶液相比，该有源层在溶液中通过复合溶剂实现金属氧化物前驱体与有机聚合物的均匀共混，在成膜的过程中有机聚合物明显改善了溶剂挥发后图案的不均匀形貌，在后续的热处理工艺中，有机聚合物的掺杂影响了前驱体转变为金属氧化物的过程，通过促进了导电沟道的形成提高了其电子的迁移率。