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公开(公告)号：CN101558487B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880001114.0
申请日：2008-01-16
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02032 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/76254 , Y10T428/8305
摘要： 本发明涉及一种制造复合材料晶片的方法，具体地说是制造绝缘体上硅型的晶片的方法，所述方法包括以下步骤：提供初始施主衬底，在所述初始施主衬底上形成绝缘层，在所述初始施主衬底中形成预定分裂区，将所述初始施主衬底粘接到操作衬底上，以及在所述预定分裂区剥离所述施主衬底，由此将所述初始施主衬底的一层转移到所述操作衬底上，以形成复合材料晶片。为了能够更多次再使用施主衬底，本发明提出在低于950℃，具体地说是低于900℃，优选是在850℃或更低的温度下执行热处理步骤以形成绝缘层。
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公开(公告)号：CN101558487A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200880001114.0
申请日：2008-01-16
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/02032 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/76254 , Y10T428/8305
摘要： 本发明涉及一种制造复合材料晶片的方法，具体地说是制造绝缘体上硅型的晶片的方法，所述方法包括以下步骤：提供初始施主衬底，在所述初始施主衬底上形成绝缘层，在所述初始施主衬底中形成预定分裂区，将所述初始施主衬底粘接到操作衬底上，以及在所述预定分裂区剥离所述施主衬底，由此将所述初始施主衬底的一层转移到所述操作衬底上，以形成复合材料晶片。为了能够更多次再使用施主衬底，本发明提出在低于950℃，具体地说是低于900℃，优选是在850℃或更低的温度下执行热处理步骤以形成绝缘层。本发明还涉及根据本发明方法制造的绝缘体上硅型的晶片。
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公开(公告)号：CN100541759C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710001967.1
申请日：2007-01-17
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254
摘要： 本发明涉及复合材料晶片的制造方法和旧施体基材的再循环方法，所述复合材料晶片的制造方法包括多个步骤，所述再循环方法是对在复合材料晶片的制造方法中获得的施体基材进行再循环的方法，其中为了改善所述施体基材的再循环率，实施至少一个热处理步骤，配置所述热处理步骤以至少部分减少氧沉淀和/或氧核。
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公开(公告)号：CN101038890A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710001967.1
申请日：2007-01-17
申请人： 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/76254
摘要： 本发明涉及复合材料晶片的制造方法和旧施体基材的再循环方法，所述复合材料晶片的制造方法包括多个步骤，所述再循环方法是对在复合材料晶片的制造方法中获得的施体基材进行再循环的方法，其中为了改善所述施体基材的再循环率，实施至少一个热处理步骤，配置所述热处理步骤以至少部分减少氧沉淀和/或氧核。
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