公开(公告)号：CN100511597C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710101112.6

申请日：2007-04-26

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 约阿希姆·马特斯 ,  安东·胡贝尔 ,  约尔格·默泽

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  B24B9/06 ,  B24B29/02

CPC classification number: H01L21/02021

Abstract: 本发明涉及一种具有成形轮廓的半导体晶片的制造方法，包括以下步骤：将所述半导体晶片与晶体分离；边缘轮廓制造步骤，其中所述边缘被机械加工，并且获得相对于目标轮廓真正成比例的轮廓；机械加工步骤，其中所述半导体晶片的厚度被减小；以及边缘轮廓机加工步骤，其中所述边缘被机械加工，并且获得所述目标轮廓。

公开(公告)号：CN101071770A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710101112.6

申请日：2007-04-26

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 约阿希姆·马特斯 ,  安东·胡贝尔 ,  约尔格·默泽

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  B24B9/06 ,  B24B29/02

CPC classification number: H01L21/02021

Abstract: 本发明涉及一种具有成形轮廓的半导体晶片的制造方法，包括以下步骤：将所述半导体晶片与晶体分离；边缘轮廓制造步骤，其中所述边缘被机械加工，并且获得相对于目标轮廓真正成比例的轮廓；机械加工步骤，其中所述半导体晶片的厚度被减小；以及边缘轮廓机加工步骤，其中所述边缘被机械加工，并且获得所述目标轮廓。