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公开(公告)号:CN105439947A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201410717357.1
申请日:2014-12-01
申请人: 石药集团中奇制药技术(石家庄)有限公司
IPC分类号: C07D213/81
摘要: 本发明涉及一种甲苯磺酸索拉非尼的新晶型及其制备方法,该晶型XRPD图谱包括以下2θ角所示的衍射峰:4.3°、13.1°、16.5°、17.7°、19.9°、20.3°、20.7°、21.3°、22.7°,误差为±0.2°。该晶型可通过将甲苯磺酸索拉非尼原料加入极性有机溶剂中,控温20-100℃溶解,然后加入惰性溶剂析晶得到。所得晶型晶体为白色至略带黄褐色的结晶性粉末,纯度可达99.8%以上,总杂不超过0.2%,潜在基因毒性杂质SL-5可以控制在不超过200ppm。该晶型易于制备,具有良好的稳定性。
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公开(公告)号:CN106146323B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201510157891.6
申请日:2015-04-03
申请人: 石药集团中奇制药技术(石家庄)有限公司
IPC分类号: C07C215/64 , C07C213/10 , C07C55/10 , C07C51/43
摘要: 本发明涉及一种琥珀酸去甲文拉法辛一水合物的新晶型Ⅵ,所述Ⅵ晶型的X‐射线粉末衍射图谱包括以下2θ角所示的衍射峰:5.14°、10.26°、13.16°、14.28°、16.67°、19.14°、20.60°、23.30°和25.86°。本发明还涉及所述晶型Ⅵ的制备方法。本发明Ⅵ晶型易于制备,具有较好的稳定性和制剂成型性,并且相比于晶型Ⅰ、Ⅱ和M,晶型Ⅵ制片收率最优,所制得的缓释片释放曲线更接近市售制剂。
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公开(公告)号:CN107118153A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201511020292.6
申请日:2016-02-25
申请人: 石药集团中奇制药技术(石家庄)有限公司
IPC分类号: C07D213/81
CPC分类号: C07D213/81 , C07B2200/13
摘要: 本发明提供一种瑞戈非尼一水合物新晶型K,以及该晶型的制备方法。本发明所提供的瑞戈非尼一水合物K晶型,与现有技术公开的现有瑞戈非尼一水合物晶型相比,具有不同的DSC、TGA以及X-射线衍射图谱。所述K晶型产品纯度超过99.9%。产品中潜在基因毒性杂质RG-5的含量仅为十几个ppm。所述制备工艺简单,反应条件温和,后处理简单。
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公开(公告)号:CN110204483B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201910199783.3
申请日:2014-12-01
申请人: 石药集团中奇制药技术(石家庄)有限公司
IPC分类号: C07D213/81
摘要: 本发明涉及一种甲苯磺酸索拉非尼的新晶型及其制备方法,该晶型XRPD图谱包括以下2θ角所示的衍射峰:4.3°、13.1°、16.5°、17.7°、19.9°、20.3°、20.7°、21.3°、22.7°,误差为±0.2°。该晶型可通过将甲苯磺酸索拉非尼原料加入极性有机溶剂中,控温20‑100℃溶解,然后加入惰性溶剂析晶得到。所得晶型晶体为白色至略带黄褐色的结晶性粉末,纯度可达99.8%以上,总杂不超过0.2%,潜在基因毒性杂质SL‑5可以控制在不超过200ppm。该晶型易于制备,具有良好的稳定性。
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公开(公告)号:CN110204483A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910199783.3
申请日:2014-12-01
申请人: 石药集团中奇制药技术(石家庄)有限公司
IPC分类号: C07D213/81
摘要: 本发明涉及一种甲苯磺酸索拉非尼的新晶型及其制备方法,该晶型XRPD图谱包括以下2θ角所示的衍射峰:4.3°、13.1°、16.5°、17.7°、19.9°、20.3°、20.7°、21.3°、22.7°,误差为±0.2°。该晶型可通过将甲苯磺酸索拉非尼原料加入极性有机溶剂中,控温20-100℃溶解,然后加入惰性溶剂析晶得到。所得晶型晶体为白色至略带黄褐色的结晶性粉末,纯度可达99.8%以上,总杂不超过0.2%,潜在基因毒性杂质SL-5可以控制在不超过200ppm。该晶型易于制备,具有良好的稳定性。
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公开(公告)号:CN106146323A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201510157891.6
申请日:2015-04-03
申请人: 石药集团中奇制药技术(石家庄)有限公司
IPC分类号: C07C215/64 , C07C213/10 , C07C55/10 , C07C51/43
摘要: 本发明涉及一种琥珀酸去甲文拉法辛一水合物的新晶型Ⅵ,所述Ⅵ晶型的X‐射线粉末衍射图谱包括以下2θ角所示的衍射峰:5.14°、10.26°、13.16°、14.28°、16.67°、19.14°、20.60°、23.30°和25.86°。本发明还涉及所述晶型Ⅵ的制备方法。本发明Ⅵ晶型易于制备,具有较好的稳定性和制剂成型性,并且相比于晶型Ⅰ、Ⅱ和M,晶型Ⅵ制片收率最优,所制得的缓释片释放曲线更接近市售制剂。
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