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公开(公告)号:CN101297398A
公开(公告)日:2008-10-29
申请号:CN200680040241.2
申请日:2006-10-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/76838 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/32139 , H01L21/76885 , H05K1/09 , H05K3/061 , H05K3/062 , H05K2203/0108 , H05K2203/0315 , H05K2203/0537 , H05K2203/0582 , H05K2203/1157 , H05K2203/1189 , H05K2203/122
Abstract: 使用氧化金掩模(30)来图案化金层(20),优选地,以微接触印刷法使用酸来图案化该掩模。氧化金掩模(30)在用于金层(20)的碱性蚀刻溶液中是稳定的。可以保持氧化金掩模(30)以产生可再暴露的金衬垫(20)。
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公开(公告)号:CN1863729B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200480029578.4
申请日:2004-10-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/283 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 提供一种具有体表面(12)的弹性印记(10),从该体表面上延伸出凸出部件)(14,14’)。阻挡层(20)覆盖体表面(12)和凸出部件(14,14’)。将墨水溶液涂覆到弹性印记(10)并干燥该弹性印记(10)之后,弹性印记(10)开始与第一衬底(40)的表面(42)接触。第一衬底(40)的表面(42)对墨水分子(32)具有高亲合力,使用它从凸出部件(14,14’)的接触表面(16,16’)有效地除去墨水分子(32)。随后,使弹性印记(10)与第二衬底(50)的表面(52)接触。从凸出部件(14,14’)的边缘(18,18’)将墨水分子(32)传输到第二衬底(50)的表面(52),由此在这个表面(52)上以自组织单层的形式形成墨水图案。本发明的构图方法可使用多种墨水在衬底(50)上形成高清晰度的墨水图案。
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公开(公告)号:CN101088044A
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:CN200580044332.9
申请日:2005-12-14
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于成核SAM生长的纳米制造工艺、由此制备的构图基板、由此制备的纳米线或纳米线格栅以及包括它们的电子器件。特别是,提供一种工艺,其包括向基板表面的第一表面区域施加第一SAM-形成分子物质,以便在第一表面区域上提供限定支架图案的第一SAM;以及至少向未被第一SAM覆盖的所述基板表面的第二表面区域施加第二SAM-形成分子物质,由此在基板表面上选择性地形成与所述第一SAM的至少一个边缘相邻的第二复制SAM,其包括所述第二SAM-形成分子物质。
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公开(公告)号:CN1863729A
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN200480029578.4
申请日:2004-10-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/283 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: 提供一种具有体表面(12)的弹性印记(10),从该体表面上延伸出凸出部件(14,14’)。阻挡层(20)覆盖体表面(12)和凸出部件(14,14’)。将墨水溶液涂覆到弹性印记(10)并干燥该弹性印记(10)之后,弹性印记(10)开始与第一衬底(40)的表面(42)接触。第一衬底(40)的表面(42)对墨水分子(32)具有高亲合力,使用它从凸出部件(14,14’)的接触表面(16,16’)有效地除去墨水分子(32)。随后,使弹性印记(10)与第二衬底(50)的表面(52)接触。从凸出部件(14,14’)的边缘(18,18’)将墨水分子(32)传输到第二衬底(50)的表面(52),由此在这个表面(52)上以自组织单层的形式形成墨水图案。本发明的构图方法可使用多种墨水在衬底(50)上形成高清晰度的墨水图案。
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