构图衬底表面的方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1863729B

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200480029578.4

    申请日:2004-10-07

    CPC classification number: B82Y30/00 B05D1/283 B82Y10/00 B82Y40/00 G03F7/0002

    Abstract: 提供一种具有体表面(12)的弹性印记(10),从该体表面上延伸出凸出部件)(14,14’)。阻挡层(20)覆盖体表面(12)和凸出部件(14,14’)。将墨水溶液涂覆到弹性印记(10)并干燥该弹性印记(10)之后,弹性印记(10)开始与第一衬底(40)的表面(42)接触。第一衬底(40)的表面(42)对墨水分子(32)具有高亲合力,使用它从凸出部件(14,14’)的接触表面(16,16’)有效地除去墨水分子(32)。随后,使弹性印记(10)与第二衬底(50)的表面(52)接触。从凸出部件(14,14’)的边缘(18,18’)将墨水分子(32)传输到第二衬底(50)的表面(52),由此在这个表面(52)上以自组织单层的形式形成墨水图案。本发明的构图方法可使用多种墨水在衬底(50)上形成高清晰度的墨水图案。

    基于SAM生长的纳米制造
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101088044A

    公开(公告)日:2007-12-12

    申请号:CN200580044332.9

    申请日:2005-12-14

    CPC classification number: G03F7/0002 B82Y10/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明涉及一种基于成核SAM生长的纳米制造工艺、由此制备的构图基板、由此制备的纳米线或纳米线格栅以及包括它们的电子器件。特别是,提供一种工艺,其包括向基板表面的第一表面区域施加第一SAM-形成分子物质,以便在第一表面区域上提供限定支架图案的第一SAM;以及至少向未被第一SAM覆盖的所述基板表面的第二表面区域施加第二SAM-形成分子物质,由此在基板表面上选择性地形成与所述第一SAM的至少一个边缘相邻的第二复制SAM,其包括所述第二SAM-形成分子物质。

    构图衬底表面的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1863729A

    公开(公告)日:2006-11-15

    申请号:CN200480029578.4

    申请日:2004-10-07

    CPC classification number: B82Y30/00 B05D1/283 B82Y10/00 B82Y40/00 G03F7/0002

    Abstract: 提供一种具有体表面(12)的弹性印记(10),从该体表面上延伸出凸出部件(14,14’)。阻挡层(20)覆盖体表面(12)和凸出部件(14,14’)。将墨水溶液涂覆到弹性印记(10)并干燥该弹性印记(10)之后,弹性印记(10)开始与第一衬底(40)的表面(42)接触。第一衬底(40)的表面(42)对墨水分子(32)具有高亲合力,使用它从凸出部件(14,14’)的接触表面(16,16’)有效地除去墨水分子(32)。随后,使弹性印记(10)与第二衬底(50)的表面(52)接触。从凸出部件(14,14’)的边缘(18,18’)将墨水分子(32)传输到第二衬底(50)的表面(52),由此在这个表面(52)上以自组织单层的形式形成墨水图案。本发明的构图方法可使用多种墨水在衬底(50)上形成高清晰度的墨水图案。

Patent Agency Ranking