公开(公告)号：CN102160246A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136299.0

申请日：2009-09-16

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H·M·门希 ,  P·G·格莱赫 ,  M·卡派 ,  A·M·范德利

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/06 ,  H01S5/068 ,  G01P3/36

Abstract: 半导体激光器设备包含具有集成光电二极管的激光二极管，其中具有集成光电二极管的激光二极管的部件其中之一也被用于加热激光二极管。因而获得了一种设计更简单的波长受控的半导体激光器。

公开(公告)号：CN102160246B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980136299.0

申请日：2009-09-16

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： H·M·门希 ,  P·G·格莱赫 ,  M·卡派 ,  A·M·范德利

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/06 ,  H01S5/068 ,  G01P3/36

Abstract: 半导体激光器设备包含具有集成光电二极管的激光二极管，其中具有集成光电二极管的激光二极管的部件其中之一也被用于加热激光二极管。因而获得了一种设计更简单的波长受控的半导体激光器。