公开(公告)号：CN101166997A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680014366.8

申请日：2006-04-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·莱文 ,  O·沙皮罗 ,  A·阿尔特曼 ,  N·韦纳

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/202 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/202 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/2985 ,  Y10T29/49002

Abstract: 一种辐射检测器(24)，包括上部闪烁体(30T)的二维阵列，其设置在面对x射线源的位置来接收辐射，将低能量辐射转换成可见光并透射高能量辐射。下部闪烁体(30B)的二维阵列，其设置在与上部闪烁体(30T)相邻并距离x射线源(14)较远的位置来将透射的高能量辐射转换成可见光。上部和下部光电检测器(38T、38B)光学耦合至位于闪烁体(30T、30B)内侧(60)上的各个上部和下部闪烁体(30T、30B)。光学元件(100)光学耦合至上部闪烁体(30T)，来收集和引导从上部闪烁体(30T)发出的光进入相应的上部光电检测器(38T)。

公开(公告)号：CN101166469A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680014315.5

申请日：2006-04-10

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·阿尔特曼 ,  O·沙皮罗 ,  S·莱文 ,  N·韦纲

IPC: A61B6/03

CPC classification number: G01T1/2018 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4241 ,  A61B6/4291 ,  A61B6/482 ,  G01T1/202

Abstract: 一种射线探测器(24)包括面对X射线源(14)设置以便将低能射线转换为可见光并透射高能射线的上闪烁体(30τ)两维阵列。下闪烁体(30B)两维阵列设置在远离X射线源(14)的上闪烁体(30τ)附近以将发出的高能射线转换为可见光。每个上和下光电探测器阵列(38τ、30B)的相应活性区域(94、96)光学耦合至闪烁体(30τ、30B)内侧(60)相应的上和下闪烁体(30τ、30B)，闪烁体内侧(60)通常垂直于轴向(Z)。干涉滤光器(110、112)可设置在相关联的上和下闪烁体(38τ、38B)的活性区域(94、96)上，以将上和下闪烁体(38τ、38B)接收的射线波长限制为由相应上和下闪烁体(30τ、30B)发射的波长。上闪烁体(30τ)可包括ZnSe(Te)和YAG(Ce)的至少一个。

公开(公告)号：CN101166469B8

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN200680014315.5

申请日：2006-04-10

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·阿尔特曼 ,  O·沙皮罗 ,  S·莱文 ,  N·韦纳

IPC: A61B6/03

Abstract: 一种辐射探测器(24)包括面对X射线源(14)设置以便将低能辐射转换为可见光并透射高能辐射的上闪烁体(30τ)两维阵列。下闪烁体(30B)两维阵列设置在远离X射线源(14)的上闪烁体(30τ)附近以将发出的高能辐射转换为可见光。每个上和下光电探测器阵列(38τ、30B)的相应活性区域(94、96)光学耦合至闪烁体(30τ、30B)内侧(60)相应的上和下闪烁体(30τ、30B)，闪烁体内侧(60)通常垂直于轴向(Z)。干涉滤光器(110、112)可设置在相关联的上和下闪烁体(38τ、38B)的活性区域(94、96)上，以将上和下闪烁体(38τ、38B)接收的辐射波长限制为由相应上和下闪烁体(30τ、30B)发射的波长。上闪烁体(30τ)可包括ZnSe(Te)和YAG(Ce)的至少一个。

公开(公告)号：CN101166469B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200680014315.5

申请日：2006-04-10

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·阿尔特曼 ,  O·沙皮罗 ,  S·莱文 ,  N·韦纲

IPC: A61B6/03

CPC classification number: G01T1/2018 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4241 ,  A61B6/4291 ,  A61B6/482 ,  G01T1/202

Abstract: 一种辐射探测器(24)包括面对X射线源(14)设置以便将低能辐射转换为可见光并透射高能辐射的上闪烁体(30τ)两维阵列。下闪烁体(30B)两维阵列设置在远离X射线源(14)的上闪烁体(30τ)附近以将发出的高能辐射转换为可见光。每个上和下光电探测器阵列(38τ、30B)的相应活性区域(94、96)光学耦合至闪烁体(30τ、30B)内侧(60)相应的上和下闪烁体(30τ、30B)，闪烁体内侧(60)通常垂直于轴向(Z)。干涉滤光器(110、112)可设置在相关联的上和下闪烁体(38τ、38B)的活性区域(94、96)上，以将上和下闪烁体(38τ、38B)接收的辐射波长限制为由相应上和下闪烁体(30τ、30B)发射的波长。上闪烁体(30τ)可包括ZnSe(Te)和YAG(Ce)的至少一个。