公开(公告)号：CN101166997A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680014366.8

申请日：2006-04-06

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： S·莱文 ,  O·沙皮罗 ,  A·阿尔特曼 ,  N·韦纳

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/202 ,  G01T1/29

CPC classification number: G01T1/202 ,  G01T1/2018 ,  G01T1/2985 ,  Y10T29/49002

Abstract: 一种辐射检测器(24)，包括上部闪烁体(30T)的二维阵列，其设置在面对x射线源的位置来接收辐射，将低能量辐射转换成可见光并透射高能量辐射。下部闪烁体(30B)的二维阵列，其设置在与上部闪烁体(30T)相邻并距离x射线源(14)较远的位置来将透射的高能量辐射转换成可见光。上部和下部光电检测器(38T、38B)光学耦合至位于闪烁体(30T、30B)内侧(60)上的各个上部和下部闪烁体(30T、30B)。光学元件(100)光学耦合至上部闪烁体(30T)，来收集和引导从上部闪烁体(30T)发出的光进入相应的上部光电检测器(38T)。

公开(公告)号：CN101166469B8

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN200680014315.5

申请日：2006-04-10

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·阿尔特曼 ,  O·沙皮罗 ,  S·莱文 ,  N·韦纳

IPC: A61B6/03

Abstract: 一种辐射探测器(24)包括面对X射线源(14)设置以便将低能辐射转换为可见光并透射高能辐射的上闪烁体(30τ)两维阵列。下闪烁体(30B)两维阵列设置在远离X射线源(14)的上闪烁体(30τ)附近以将发出的高能辐射转换为可见光。每个上和下光电探测器阵列(38τ、30B)的相应活性区域(94、96)光学耦合至闪烁体(30τ、30B)内侧(60)相应的上和下闪烁体(30τ、30B)，闪烁体内侧(60)通常垂直于轴向(Z)。干涉滤光器(110、112)可设置在相关联的上和下闪烁体(38τ、38B)的活性区域(94、96)上，以将上和下闪烁体(38τ、38B)接收的辐射波长限制为由相应上和下闪烁体(30τ、30B)发射的波长。上闪烁体(30τ)可包括ZnSe(Te)和YAG(Ce)的至少一个。

公开(公告)号：CN101849197A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880114774.X

申请日：2008-10-29

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： N·韦纳 ,  S·莱文

IPC: G01T1/20

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G01T1/2002

Abstract: 本发明涉及射线探测器(200)的光反射材料(240)，其还包括光电探测元件(220)和与该光电探测元件相邻的成像元件(250)。典型地，环氧树脂用作光反射材料。根据本发明，可将坚韧、易弯曲树脂用作光电探测元件。这具有如下优点：减小了射线探测器内的热应力，进而降低了因为例如温度变化而引起分层的风险。另外，该坚韧、易弯曲树脂还优选具有低折射率，和具有折射率1.58的环氧树脂相比其可增加树脂的散射系数。由此，对于给定级别的光学串扰，与环氧树脂的层厚度相比，低折射率树脂的层厚度可以减小。优选的树脂为硅树脂以及热塑性含氟聚合物树脂。