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公开(公告)号:CN101166469B
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN200680014315.5
申请日:2006-04-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: A61B6/03
CPC classification number: G01T1/2018 , A61B6/032 , A61B6/4241 , A61B6/4291 , A61B6/482 , G01T1/202
Abstract: 一种辐射探测器(24)包括面对X射线源(14)设置以便将低能辐射转换为可见光并透射高能辐射的上闪烁体(30τ)两维阵列。下闪烁体(30B)两维阵列设置在远离X射线源(14)的上闪烁体(30τ)附近以将发出的高能辐射转换为可见光。每个上和下光电探测器阵列(38τ、30B)的相应活性区域(94、96)光学耦合至闪烁体(30τ、30B)内侧(60)相应的上和下闪烁体(30τ、30B),闪烁体内侧(60)通常垂直于轴向(Z)。干涉滤光器(110、112)可设置在相关联的上和下闪烁体(38τ、38B)的活性区域(94、96)上,以将上和下闪烁体(38τ、38B)接收的辐射波长限制为由相应上和下闪烁体(30τ、30B)发射的波长。上闪烁体(30τ)可包括ZnSe(Te)和YAG(Ce)的至少一个。
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公开(公告)号:CN101166469A
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200680014315.5
申请日:2006-04-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: A61B6/03
CPC classification number: G01T1/2018 , A61B6/032 , A61B6/4241 , A61B6/4291 , A61B6/482 , G01T1/202
Abstract: 一种射线探测器(24)包括面对X射线源(14)设置以便将低能射线转换为可见光并透射高能射线的上闪烁体(30τ)两维阵列。下闪烁体(30B)两维阵列设置在远离X射线源(14)的上闪烁体(30τ)附近以将发出的高能射线转换为可见光。每个上和下光电探测器阵列(38τ、30B)的相应活性区域(94、96)光学耦合至闪烁体(30τ、30B)内侧(60)相应的上和下闪烁体(30τ、30B),闪烁体内侧(60)通常垂直于轴向(Z)。干涉滤光器(110、112)可设置在相关联的上和下闪烁体(38τ、38B)的活性区域(94、96)上,以将上和下闪烁体(38τ、38B)接收的射线波长限制为由相应上和下闪烁体(30τ、30B)发射的波长。上闪烁体(30τ)可包括ZnSe(Te)和YAG(Ce)的至少一个。
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