公开(公告)号：CN1628347A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN03803321.6

申请日：2003-01-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·-F·周 ,  J·C·N·里佩斯 ,  H·J·博格 ,  M·范施德尔

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 描述了一种可重写的光学存储介质(10)，其包括基片(1)、第一电介质层(2)、Ge－Sb－Te基础上的相位变化记录层(3)、第二电介质层(4)和金属反射层(5)。记录层(3)是具有以原子％表示的组分GexSbyTez的合金，其中0＜x＜15，50＜y＜80，10＜z＜30并且x+y+z＝100，并且记录层(3)具有从7到18nm的范围中选择的厚度。这样的介质(10)适合于具有大于25Mb/s的数据速率的高数据速率记录，同时记录层(6)保持相对薄，而具有相对高的光学透明度。

公开(公告)号：CN100533563C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN03803321.6

申请日：2003-01-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·-F·周 ,  J·C·N·里佩斯 ,  H·J·博格 ,  M·范施德尔

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 描述了一种可重写的光学存储介质(10)，其包括基片(1)、第一电介质层(2)、Ge-Sb-Te基础上的相位变化记录层(3)、第二电介质层(4)和金属反射层(5)。记录层(3)是具有以原子%表示的组分GexSbyTez的合金，其中0＜x＜15，50＜y＜80，10＜z＜30并且x+y+z＝100，并且记录层(3)具有从7到13nm的范围中选择的厚度。这样的介质(10)适合于具有大于25Mb/s的数据速率的高数据速率记录，同时记录层(6)保持相对薄，而具有相对高的光学透明度。