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公开(公告)号：CN101142497B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200680008325.8
申请日：2006-03-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/202
CPC classification number: G01T1/202
Abstract: 本发明涉及一种具有由闪烁层(11)、耦合层(12)和敏感层(13)组成的像素阵列(10)的X射线检测器。耦合层(12)包括光导单元(17)和屏蔽单元(16)，其中屏蔽单元(16)置于易受X射线干扰的电子处理电路(15a，15b)上。在可替换实施例中，耦合层由透光并吸收X射线的材料例如铅玻璃组成。优选地，组合在耦合层(12)中的波长转换材料将在闪烁层(11)中所产生光子的波长(λ1)转换为敏感层(13)具有更高灵敏度的值(λ2)。
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公开(公告)号：CN101142497A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200680008325.8
申请日：2006-03-10
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/202
CPC classification number: G01T1/202
Abstract: 本发明涉及一种具有由闪烁层(11)、耦合层(12)和敏感层(13)组成的像素阵列(10)的X射线检测器。耦合层(12)包括光导单元(17)和屏蔽单元(16)，其中屏蔽单元(16)置于易受X射线干扰的电子处理电路(15a，15b)上。在可替换实施例中，耦合层由透光并吸收X射线的材料例如铅玻璃组成。优选地，组合在耦合层(12)中的波长转换材料将在闪烁层(11)中所产生光子的波长(λ1)转换为敏感层(13)具有更高灵敏度的值(λ2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101163774B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200680013000.9
申请日：2006-04-13
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: C04B35/547 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/6581 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C09K11/7771 , G21K4/00
Abstract: 本发明涉及具有非常短余辉的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，Gd2O2S:M荧光陶瓷材料进一步包括：铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。
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公开(公告)号：CN101002109A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580027280.4
申请日：2005-08-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/1648 , G01T1/1644 , G01T1/2985 , G01T7/00
Abstract: 本发明涉及带有吸收入射辐射(1、8)且产生与吸收的辐射的量成比例的电信号的薄片(2)的防散射格栅(ASG)。薄片(2)可以特别地由半导体材料组成，在半导体材料中光子产生了可借助于薄片(2)的侧壁上的电极(3、4、6)检测到的电子－空穴对。因此可以以空间分辨地方式确定吸收的散射辐射(8)或初级辐射(1)的量，这允许修正由传感器单元(9)的阵列(5)生成的图像。
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公开(公告)号：CN101002109B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200580027280.4
申请日：2005-08-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/1648 , G01T1/1644 , G01T1/2985 , G01T7/00
Abstract: 本发明涉及带有吸收入射辐射(1、8)且产生与吸收的辐射的量成比例的电信号的薄片(2)的防散射格栅(ASG)。薄片(2)可以特别地由半导体材料组成，在半导体材料中光子产生了可借助于薄片(2)的侧壁上的电极(3、4、6)检测到的电子-空穴对。因此可以以空间分辨地方式确定吸收的散射辐射(8)或初级辐射(1)的量，这允许修正由传感器单元(9)的阵列(5)生成的图像。
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公开(公告)号：CN101163774A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013000.9
申请日：2006-04-13
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: C04B35/547 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/6581 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C09K11/7771 , G21K4/00
Abstract: 本发明涉及具有非常短余辉的Gd2O2S∶M荧光陶瓷材料，其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，Gd2O2S∶M荧光陶瓷材料进一步包括：铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。
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公开(公告)号：CN101010806A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580028678.X
申请日：2005-08-11
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/115 , G01T1/20 , H05G1/00 , G01V5/00
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/14676 , H01L31/085 , H01L31/101 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及微电子系统，尤其是用于X射线探测器的微电子系统，其中该微电子系统包括具有像素(P)的阵列的半导体层(1)，像素(P)由光敏元件(3)和相关的电子电路(4)组成。在其表面内具有凹陷(5a)的绝缘钝化层(5)夹置于半导体层(1)和闪烁体(8)之间。用于屏蔽电子电路(4)免受X射线辐射的屏蔽金属(6)可置于钝化层(5)的凹陷(5a)内。此外，该凹陷可包含用于固定闪烁体(8)的胶合剂，其中该钝化层(5)另外用作闪烁体(8)和半导体层(1)之间的隔离物。
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