公开(公告)号：CN101163774A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013000.9

申请日：2006-04-13

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·R·朗达 ,  G·泽特勒 ,  D·沃多 ,  H·韦科雷克 ,  H·施赖尼马彻

IPC: C09K11/77 ,  G21K4/00

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C09K11/7771 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明涉及具有非常短余辉的Gd2O2S∶M荧光陶瓷材料，其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，Gd2O2S∶M荧光陶瓷材料进一步包括：铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。

公开(公告)号：CN101163774B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200680013000.9

申请日：2006-04-13

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： C·R·朗达 ,  G·泽特勒 ,  D·沃多 ,  H·韦科雷克 ,  H·施赖尼马彻

IPC: C09K11/77 ,  G21K4/00

CPC classification number: C04B35/547 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C09K11/7771 ,  G21K4/00

Abstract: 本发明涉及具有非常短余辉的Gd2O2S:M荧光陶瓷材料，其中M代表从包含Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和/或Ho的组合中选择的至少一个元素，Gd2O2S:M荧光陶瓷材料进一步包括：铕≤1wt.ppm，基于Gd2O2S以及铈≥0.1wt.ppm并≤100wt.ppm，基于Gd2O2S，其中铈的含量超过铕的含量，且铕对铈的比例为1∶10到1∶150。