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公开(公告)号:CN102870007A
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201180020847.0
申请日:2011-04-19
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2002
Abstract: 本发明提出了一种X射线探测器(1),包括诸如CMOS光探测器的光探测装置(3)、诸如CsI:Tl层的闪烁体层(5)、反射体层(9)和介于闪烁体层(5)和反射体层(9)之间的发光层(7)。发光层(7)可以包括OLED,并且可以制成小于50μm的厚度。由此,可以改进X射线探测器的灵敏度和分辨率。
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公开(公告)号:CN101836102B
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN200880112936.6
申请日:2008-10-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: C·A·费许雷恩 , J·A·H·M·卡尔曼 , A·H·J·伊明克 , M·梅珍斯 , J·维恩 , B·M·德布尔 , T·P·H·G·扬森
IPC: G01N15/06
CPC classification number: G01N15/06 , G01N15/0656 , G01N2015/0693 , G01R33/1269
Abstract: 本发明涉及一种用于确定在与样品室(2)相邻的接触面(112)上的靶粒子(1)的量的传感器装置(100)和方法。通过传感器元件(SE)检测在所述样品室中的靶粒子(1),并且提供至少一个相应的传感器信号(s、s′)。评估单元(EU)随后基于该传感器信号,确定在紧接所述接触面(112)的第一区(Z1)中和远离所述接触面距离(z)的第二区(Z2)中的靶粒子(1)的量。在光学测量方法中,可以使用在不同操作条件下(例如波长、入射角)发生的受抑全反射来提取关于所述第一区(Z1)和第二区(Z2)的信息。在磁测量方法中,可以使用不同的磁激励场以差别化地激励在所述第一区和第二区(Z2)中的磁靶粒子。此外,可以评估传感器信号(s、s′)的时间过程,特别是关于所述靶粒子(1)的随机移动进行所述评估。
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公开(公告)号:CN101836102A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200880112936.6
申请日:2008-10-21
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: C·A·费许雷恩 , J·A·H·M·卡尔曼 , A·H·J·伊明克 , M·梅珍斯 , J·维恩 , B·M·德布尔 , T·P·H·G·扬森
IPC: G01N15/06
CPC classification number: G01N15/06 , G01N15/0656 , G01N2015/0693 , G01R33/1269
Abstract: 本发明涉及一种用于确定在与样品室(2)相邻的接触面(112)上的靶粒子(1)的量的传感器装置(100)和方法。通过传感器元件(SE)检测在所述样品室中的靶粒子(1),并且提供至少一个相应的传感器信号(s、s′)。评估单元(EU)随后基于该传感器信号,确定在紧接所述接触面(112)的第一区(Z1)中和远离所述接触面距离(z)的第二区(Z2)中的靶粒子(1)的量。在光学测量方法中,可以使用在不同操作条件下(例如波长、入射角)发生的受抑全反射来提取关于所述第一区(Z1)和第二区(Z2)的信息。在磁测量方法中,可以使用不同的磁激励场以差别化地激励在所述第一区和第二区(Z2)中的磁靶粒子。此外,可以评估传感器信号(s、s′)的时间过程,特别是关于所述靶粒子(1)的随机移动进行所述评估。
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公开(公告)号:CN107728189A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710914899.1
申请日:2011-04-19
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2002
Abstract: 提出了一种X射线探测器(1),包括诸如CMOS光探测器的光探测装置(3)、诸如CsI:Tl层的闪烁体层(5)、反射体层(9)和介于闪烁体层(5)和反射体层(9)之间的发光层(7)。发光层(7)可以包括OLED,并且可以制成小于50μm的厚度。由此,可以改进X射线探测器的灵敏度和分辨率。
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公开(公告)号:CN101889208A
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN200880119443.5
申请日:2008-12-04
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01N33/543
CPC classification number: G01N33/54326 , G01N21/552 , G01N21/648 , G01N27/745
Abstract: 检测在含有磁化或可磁化靶成分以及其他磁化或可磁化成分的流体中的所述磁化或可磁化靶成分,使用磁场发生器(M1,28)以向着结合吸引表面磁化或可磁化成分。磁场控制器(C1)施加磁场以在结合表面上将磁化或可磁化成分聚集成列,随后降低所述磁场以使得所述列瓦解,从而允许更多的成分到达结合表面,并且重新施加磁场,以便使其他成分被拉离所述结合表面以基于所结合的靶成分重新形成列。表面灵敏传感器(S1,26,29)检测所结合的磁化或可磁化靶成分。磁场的重新施加充当磁清洗步骤以释放不希望的非特异性吸附结合,留下靶,从而以简化的硬件改进灵敏度并降低成本和大小。
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