磁传感器设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101501500A

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200780030235.3

    申请日:2007-08-07

    Abstract: 本发明提供了一种磁传感器设备(20),包括:至少一个位于第一平面中的传感器表面;用于向传感器表面(13)吸引磁或可磁化对象(15)的第一磁场生成装置(12),该第一磁场生成装置(12)位于不同于并基本平行于第一平面的第二平面中;以及用于磁化结合到传感器的磁或可磁化对象(15)的第二磁场生成装置(14)。第一磁场生成装置(12)和所述至少一个传感器元件(11)之间的间距小于2μm,小至任选地交叠。本发明还提供了一种利用根据本发明实施例的磁传感器设备(20)确定样本流体中的磁或可磁化对象(15)的存在和/或量的方法。

    微传感器设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101258407A

    公开(公告)日:2008-09-03

    申请号:CN200680032699.3

    申请日:2006-09-07

    CPC classification number: G01N33/54326 G01N27/745

    Abstract: 本发明涉及一种微传感器设备,例如磁性生物传感器(100)。该微传感器设备包括探针传感器(10.1、10.2、10.3)的阵列,该探针传感器用于测量物理量,例如样品室中用磁珠标记的分子浓度。该阵列还包括基准传感器(10.4),基准传感器靠近探针传感器(10.1、10.2、10.3)设置并被屏蔽以免受要测量的物理量的影响。基准传感器(10.4)的测量信号反映了如温度的环境条件影响,因此可以用于校正探针传感器(10.1、10.2、10.3)的测量信号。将传感器(10.1、10.2、10.3、10.4)经由复用器连接到同一检测器单元,以进一步处理,以便使变化最小化并降低硬件的复杂性。

    用于在生物传感器中感测杂散磁场的装置和方法

    公开(公告)号:CN101065660A

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:CN200580040924.3

    申请日:2005-11-28

    CPC classification number: G01R33/093 B82Y25/00 G01R33/1269

    Abstract: 一种磁传感器(MS),其包括磁致电阻元件(GMR),用于感测由可磁化对象(SPB)当磁化时产生的杂散磁场(SF)和用于产生与所感测的杂散磁场(SF)相关的电对象信号(UOB),该传感器(MS)包括用于产生用于磁化可磁化对象(SPB)的具有第一频率(ω1)的磁场(H,Hext)的磁场发生器(WR1,WR2),用于至少产生流过所述磁致电阻元件(GMR)的具有第二频率(ω2)的AC电流(I2sinω2t)的电流源(AC2),以及用于产生从所述电对象信号(UOB)导出的电输出信号(U0)的电子装置,所述电子装置包括用于稳定所述电输出信号(U0)幅度的稳定装置,所述稳定装置从信号分量的幅度中导出所述稳定所需的其信息,所述信号分量在操作期间存在于所述对象信号(UOB)中,所述对象信号(UOB)与所述磁致电阻元件(GMR)的陡度线性相关,该陡度定义为作为在磁致电阻元件(GMR)的磁敏感方向上通过所述磁致电阻元件的磁场的函数的所述磁致电阻元件(GMR)的阻抗的导数。

    包含磁阻系统的装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101223453A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200680026383.3

    申请日:2006-07-14

    CPC classification number: G01R33/09 G01R33/096

    Abstract: 装置(1),包括用来检测进来的磁场的磁阻系统(2)并包括第一/第二分支,所述第一分支/第二分支具有第一/第二磁阻组件(21-22),所述第一/第二组件具有依赖于根据第一/第二响应曲线的进来的磁场的第一/第二电阻值,为所述装置(1)提供移动装置用于将第/第二分支的第一/第二响应曲线移动到第一/第二方向以得到合适的线性性能。移动装置包括第一/第二分支的第一/第二结构,所述第一/第二结构产生所述第一/第二分支处的第一/第二本地场,从而第一/第二分支的第一/第二响应曲线移动至第一/第二方向。所述第一/第二分支进一步包括第一/第二磁阻组件(26b、26c、27b、27c),其与第一/第二磁阻组件耦合,使流经这些第一/第二磁阻组件(26a-26c、27a-27c)的第一/第二电流在第一/第二分支处产生所述第一/第二本地场。第一/第二结构包括第一/第二弯曲结构(36、37),其中第一/第二部分(36a-36c、37a-37c)包括不同的第一尺寸,例如交替变化的第一/第二宽度。

    校准磁传感器的传递函数的方法

    公开(公告)号:CN101065661A

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:CN200580040916.9

    申请日:2005-11-28

    CPC classification number: G01R33/093 B82Y25/00 G01R33/1269

    Abstract: 一种用于校准衬底(SBSTR)上的磁传感器(MS)的传递函数的方法,在所述传感器(MS)中,能够通过采用由磁场发生器(WR1,WR2)提供的磁场(H)使物体(SPB)磁化而探测可磁化物体(SPB)的存在,其中,将传递函数定义为从用于生成磁场H的电输入信号(Iin),经由物体(SPB)受到磁化时辐射的杂散磁场(SF),到由传感器(MS)提供的电输出信号(Iout)的传递,所述方法包括的步骤有:将样本流体置于衬底(SBSTR)上,所述样本流体包括可磁化物体(SPB);朝向所述传感器(MS)吸附所述可磁化物体(SPB)的部分;激活所述电输入信号(Iin),由此生成磁场(H);测量作为所述电输入信号(Iin)的响应的电输出信号(Iout);由所述电输入信号和电输出信号(Iin,Iout)计算所述传递函数。

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