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公开(公告)号：CN101048922A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580037053.X
申请日：2005-10-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： A·R·巴尔克南德 , E·P·A·M·巴克斯 , L·F·费纳
CPC classification number: H01L29/12 , B82Y10/00 , H01L27/15 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676
Abstract: 本发明涉及能量带隙可以可逆地改变的半导体器件。本发明的思想是提供一种器件，其基于与在适当寻址时呈现出可逆体积变化的材料机械接触的半导电材料(306)，所述体积可逆变化的材料例如为相变材料(307)。该器件可例如用于发光器件、开关器件以及存储器。通过向相变材料施加局部体积膨胀，半导电材料可以可逆地应变。所得到的半导电材料的带隙变化可用于调谐从例如LED或激光器发射的光的颜色。在其它应用领域中，可控制半导体结的接触电阻，这一特征在存储器和开关中是非常有利的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101822066A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110758.3
申请日：2008-10-03
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·A·M·希克梅特 , A·R·巴尔克南德
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3161 , G03B21/20 , G03B21/204 , H04N9/3129
Abstract: 本发明涉及一种照明设备(1)、这样的照明设备的阵列、以及包括这样的照明设备的光学投影设备。所述照明设备包括用于生成激光辐射的至少一个激光源(4)，其中该激光源被光学地耦合到光学元件(7，8，9)，该光学元件包括至少一个发光材料，其适合于在受激光辐射的激光激发后发射发光辐射，其中所述光学元件配备有至少一个反射器，用于将来自发光点的辐射引导穿过光学元件的发射窗口。该照明设备在投影仪和其它发光应用中尤其有用。
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公开(公告)号：CN100511885C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580037053.X
申请日：2005-10-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： A·R·巴尔克南德 , E·P·A·M·巴克斯 , L·F·费纳
CPC classification number: H01L29/12 , B82Y10/00 , H01L27/15 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676
Abstract: 本发明涉及能量带隙可以可逆地改变的半导体器件。本发明的思想是提供一种器件，其基于与在适当寻址时呈现出可逆体积变化的材料机械接触的半导电材料(306)，所述体积可逆变化的材料例如为相变材料(307)。该器件可例如用于发光器件、开关器件以及存储器。通过向相变材料施加局部体积膨胀，半导电材料可以可逆地应变。所得到的半导电材料的带隙变化可用于调谐从例如LED或激光器发射的光的颜色。在其它应用领域中，可控制半导体结的接触电阻，这一特征在存储器和开关中是非常有利的。
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公开(公告)号：CN101822066B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880110758.3
申请日：2008-10-03
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·A·M·希克梅特 , A·R·巴尔克南德
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3161 , G03B21/20 , G03B21/204 , H04N9/3129
Abstract: 本发明涉及一种照明设备(1)、这样的照明设备的阵列、以及包括这样的照明设备的光学投影设备。所述照明设备包括用于生成激光辐射的至少一个激光源(4)，其中该激光源被光学地耦合到光学元件(7，8，9)，该光学元件包括至少一个发光材料，其适合于在受激光辐射的激光激发后发射发光辐射，其中所述光学元件配备有至少一个反射器，用于将来自发光点的辐射引导穿过光学元件的发射窗口。该照明设备在投影仪和其它发光应用中尤其有用。
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公开(公告)号：CN100485983C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200580037002.7
申请日：2005-10-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： A·R·巴尔克南德 , E·P·A·M·巴克斯 , L·F·费纳
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G11C13/04 , G11C23/00 , G11C2213/81 , H01L27/15 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01S5/0622 , H01S5/341
Abstract: 本发明涉及一种能带带隙能够被电性改变的半导体装置。本发明的思想是提供一种装置，该装置基于嵌入在材料(307)中的纳米线(306)，当适当地处理例如锆钛酸铅PZT、氮化铝AlN或者氧化锌ZnO的这种压电材料时，材料(307)显示出变形。借助将电压应用于该材料，可以通过施加对压电材料(307、312)的部分变形而可逆地应变纳米线(306)。利用所得到的带隙变化调整从例如LED或者激光器发射的光的颜色。这是带隙与发出光的频率成比例的事实的结果。在其它领域的应用中，能够控制半导体结中的接触电阻，并且该特征在存储器和开关中有非常有利的。
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公开(公告)号：CN101048881A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580037002.7
申请日：2005-10-20
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： A·R·巴尔克南德 , E·P·A·M·巴克斯 , L·F·费纳
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G11C13/04 , G11C23/00 , G11C2213/81 , H01L27/15 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01S5/0622 , H01S5/341
Abstract: 本发明涉及一种能带带隙能够被电性改变的半导体装置。本发明的思想是提供一种装置，该装置基于嵌入在材料(307)中的纳米线(306)，当适当地处理例如锆钛酸铅PZT、氮化铝AlN或者氧化锌ZnO的这种压电材料时，材料(307)显示出变形。借助将电压应用于该材料，可以通过施加对压电材料(307、312)的部分变形而可逆地应变纳米线(306)。利用所得到的带隙变化调整从例如LED或者激光器发射的光的颜色。这是带隙与发出光的频率成比例的事实的结果。在其它领域的应用中，能够控制半导体结中的接触电阻，并且该特征在存储器和开关中有非常有利的。
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