公开(公告)号：CN101772383B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200880101200.9

申请日：2008-07-31

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·L·鲁斯特 ,  K·赖曼 ,  M·克莱 ,  J·T·M·范贝克 ,  J·D·弗雷泽

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292

Abstract: 一种电容式超声换能器，包括第一电极、第二电极和第三电极；所述第三电极包括相对于所述第一电极可塌陷地间隔设置的中央区域，和从所述中央区域向外设置并相对于所述第二电极可塌陷地间隔设置的外围区域。该所述换能器还包括高介电常数材料层，其设置在所述第三电极和所述第一电极之间，以及所述第三电极和所述第二电极之间。所述换能器可以塌陷模式操作，其中所述第三电极的所述外围区域相对于所述第二电极振荡，并且所述第三电极的所述中央区域相对于所述第一电极完全塌陷，从而使所述电介质层被夹入其中。可还包括诸如d31和d33模型压电驱动之类的压电驱动。医学成像系统包括设置在公共基板上的这种电容式超声换能器的阵列。

公开(公告)号：CN101772383A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880101200.9

申请日：2008-07-31

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·L·鲁斯特 ,  K·赖曼 ,  M·克莱 ,  J·T·M·范贝克 ,  J·D·弗雷泽

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B06B1/0292

Abstract: 一种电容式超声换能器，包括第一电极、第二电极和第三电极；所述第三电极包括相对于所述第一电极可塌陷地间隔设置的中央区域，和从所述中央区域向外设置并相对于所述第二电极可塌陷地间隔设置的外围区域。该所述换能器还包括高介电常数材料层，其设置在所述第三电极和所述第一电极之间，以及所述第三电极和所述第二电极之间。所述换能器可以塌陷模式操作，其中所述第三电极的所述外围区域相对于所述第二电极振荡，并且所述第三电极的所述中央区域相对于所述第一电极完全塌陷，从而使所述电介质层被夹入其中。可还包括诸如d31和d33模型压电驱动之类的压电驱动。医学成像系统包括设置在公共基板上的这种电容式超声换能器的阵列。

公开(公告)号：CN101506648A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031465.1

申请日：2007-08-21

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： O·文恩尼克 ,  E·P·A·M·巴克斯 ,  A·L·鲁斯特

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N27/127

Abstract: 一种制造用于感测物质的半导体传感器装置(10)的方法，所述半导体传感器装置包括多个相互平行的台形半导体区域(1)，所述台形半导体区域(1)形成于半导体主体(11)的表面上并在第一端连接到第一导电连接区域(2)且在第二端连接到第二导电连接区域(3)，同时包括待感测的物质的气体或液体能够在所述台形半导体区域(1)之间流动，且待感测的所述物质能够影响所述多个台形半导体区域(1)的电特性，其中在所述半导体主体(11)的表面形成第一连接区域(2)并形成第一端连接到所述第一连接区域(2)的多个台形半导体区域(1)，接下来形成在所述多个台形半导体区域(1)的第二端连接到所述多个台形半导体区域(1)的第二连接区域(3)。根据本发明，在形成所述多个台形半导体区域(1)之后，用能够相对于所述多个台形半导体区域(1)和所述半导体传感器装置(10)的其他边界部分的材料选择性地去除的填充材料(4)来填充这些区域(1)之间的露出空间，接下来在所得到的结构上沉积导电层(30)，由该导电层(30)形成所述第二连接区域(3)，之后以选择性方式去除所述填充材料(4)，由此使所述多个台形半导体区域(1)之间的空间再次露出。通过这种方式，利用容易在工业规模上应用的方法制造传感器装置(10)，并获得高成品率。