公开(公告)号：CN110537304A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201880022873.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： S·格罗嫩博恩 ,  H·J·门希

IPC: H01S5/42 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明描述一种包括被布置为能够发射激光(150)的至少一个垂直腔表面发射激光器的激光器布置结构，所述至少一个垂直腔表面发射激光器包括第一电极(100)、半导体基体(101)、第一分布布拉格反射器(110)、有源层(115)、第二分布布拉格反射器(120)和第二电极(125)，其中，有源层(115)夹置在第一分布布拉格反射器(110)与第二分布布拉格反射器(120)之间，其中，第一电极(100)和第二电极(125)被布置为能够提供跨过有源层(115)的电流以产生激光(150)，其中，激光器布置结构包括被布置为能够增大激光(150)的激光发射角(156)以增大激光器布置结构的眼睛安全性的光学结构(140)，其中，所述光学结构(140)是激光器布置结构的半导体层结构的集成部分。本发明还描述包括这样的激光器布置结构的照明装置和制造这样的激光器布置结构的方法。

公开(公告)号：CN108141011A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680057997.1

申请日：2016-09-22

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： S·格罗嫩博恩 ,  M·米勒 ,  P·丹贝里 ,  M·舒尔曼 ,  H·门希

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明描述了一种发光设备(100)。所述发光设备(100)包括至少一个发光结构(110)、至少一个处理层(120)以及至少一个光学结构(130)。所述光学结构(130)包括借助于处理光(150)而被处理的至少一种材料。所述至少一个处理层(120)被布置为在借助于所述处理光(150)对所述材料进行处理期间将所述处理光(150)沿所述光学结构(130)的方向的反射减少至少50％、优选地至少80％、更优选地至少95％并且最优选地至少99％。本发明的基本想法是在发光结构(110)(如VCSEL阵列)的上方并入不反射的或低反射的处理层(120)，以便实现对如微透镜阵列的发光结构(130)的晶片处理。本发明还描述了制造这样的发光设备(100)的方法。