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公开(公告)号：CN104066521B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201380006576.2
申请日：2013-01-18
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: H02N1/006 , B06B1/0292 , B81B3/00 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00373 , H02N1/08
Abstract: 本发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)特别是CMUT的方法，所述方法包括：在基底(1)上沉积第一电极层(10)；在所述第一电极层(10)上沉积第一介电薄膜(20)；在所述第一介电薄膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是可移除的，以形成所述换能器的空腔(35)；在所述牺牲层(30)上沉积第二介电薄膜(40)；并且，在所述第二介电薄膜(40)上沉积第二电极层(50)，其中，所述第一介电薄膜(20)和/或所述第二介电薄膜(40)包括：包括氧化物的第一层、包括高k材料的第二层以及包括氧化物的第三层，并且其中，通过原子层沉积来执行所述沉积步骤。本发明还涉及一种通过这样的方法来制造的电容式微机械换能器(100)，特别是CMUT。
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公开(公告)号：CN104812504B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201380060566.7
申请日：2013-11-06
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
Inventor： J·H·克鲁特威克 , M·米尔德 , N·M·A·德维尔德 , K·卡拉卡亚 , C·A·范登赫费尔
IPC: B06B1/02
CPC classification number: G10K11/18 , B06B1/0292 , C23C16/45525 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种制造电容性微加工换能器(100)、尤其是CMUT的方法，所述方法包括：将第一电极层(10)沉积在基板(1)上，将第一介电薄膜(20)沉积在所述第一电极层(10)上，将牺牲层(30)沉积在所述第一介电薄膜(20)上，所述牺牲层(30)可移除以形成所述换能器的腔体(35)，将第二介电薄膜(40)沉积在所述牺牲层(30)上，将第二电极层(50)沉积在所述第二介电薄膜(40)上，以及图案化所述沉积层和薄膜(10、20、30、40、50)中的至少一个，其中所述沉积步骤是通过原子层沉积来执行的。本发明还涉及一种通过此方法制造的电容性微加工换能器、尤其是CMUT。
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公开(公告)号：CN104023860A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280063552.6
申请日：2012-12-13
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明涉及一种超声换能器设备，其包括至少一个cMUT单元(30)，其用于发射和/或接收超声波，所述cMUT单元(30)包括单元薄膜(30a)和单元薄膜下方的空腔(30b)。所述设备还包括基底(10)，其具有第一侧面(10a)和第二侧面(10b)，所述至少一个cMUT单元(30)被布置在所述基底(10)的所述第一侧面(10a)上。所述基底(10)包括基底基层(12)和在正交于基底侧面(10a、10b)的方向上延伸进所述基底(10)的多个相邻沟槽(17a)，其中，在相邻沟槽(17a)之间形成每个间隔物(12a)。所述基底(10)还包括连接空腔(17b)，其连接所述沟槽(17a)并且在平行于所述基底侧面(10a、10b)的方向上延伸，所述沟槽(17a)和所述连接空腔(17b)一起形成所述基底(10)中的基底空腔(17)。所述基底(10)还包括基底薄膜(23)，其覆盖所述基底空腔(17)。所述基底空腔(17)位于所述cMUT单元(30)下方的所述基底(10)的区域中。本发明还涉及一种制造这样的超声换能器设备的方法。
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公开(公告)号：CN105592940B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480052627.X
申请日：2014-09-15
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
Abstract: 公开了一种制造电容式微加工超声换能器(CMUT)装置的方法，所述装置包括在基底(110)上的第一电极(112)以及被嵌入在电绝缘膜中的第二电极(122)，所述第一电极和所述膜由通过移除在所述第一电极与所述膜之间的牺牲材料(116)形成的腔(130)而分离开，所述方法包括形成所述第二电极上的膜部分(22)以及从所述膜部分沿所述牺牲材料侧面朝向所述基底沿延伸的另一膜部分(24)，其中，在形成所述腔之前，所述膜部分和所述另一膜部分的各自厚度超过牺牲材料的厚度。也公开了根据该方法制造的CMUT装置以及包括所述CMUT装置的设备。
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公开(公告)号：CN103875068B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201280050826.8
申请日：2012-10-12
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/5226 , B06B1/0292 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53271 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2924/1461 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种穿晶片通路设备（10），包括晶片（12），所述晶片（12）由晶片材料制成并且具有第一晶片表面（12a）和与所述第一晶片表面（12a）相对的第二晶片表面（12b）。所述穿晶片通路设备（10）还包括多个并排的第一沟槽（14），所述第一沟槽（14）被提供有导电材料并且从所述第一晶片表面（12a）延伸到所述晶片（12）中，使得在各所述第一沟槽（14）之间形成所述晶片材料的多个间隔（16）。所述穿晶片通路设备（10）还包括第二沟槽（18），所述第二沟槽（18）被提供有所述导电材料并且从所述第二晶片表面（12b）延伸到所述晶片（12）中，所述第二沟槽（18）被连接到所述第一沟槽（14）。所述穿晶片通路设备（10）还包括导电层（20），所述导电层（20）由所述导电材料制成，并且被形成在所述第一晶片表面（12a）的侧部上，所述导电材料填充所述第一沟槽（14），使得第一导电层（20）具有基本上平面且封闭的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104066520A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006571.X
申请日：2013-01-23
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B81B3/0086 , B06B1/0292 , B81B3/0027 , B81B2201/0271 , B81C1/00523 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R31/003
Abstract: 本发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)，尤其制造CMUT的方法，所述方法包括：在衬底(1)上沉积第一电极层(10)；在所述第一电极层(10)上沉积第一介电膜(20)；在所述第一介电膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是可去除的，以形成所述换能器的腔(35)；在所述牺牲层(30)上沉积第二介电膜(40)；在所述第二介电膜(40)上沉积第二电极层(50)；以及将所沉积的层和膜(10、20、30、40、50)中的至少一个模式化，其中，所述的沉积步骤是通过原子层沉积执行的。本发明还涉及一种通过这样的方法制造的电容式微机械换能器(100)，尤其是CMUT。
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公开(公告)号：CN115552648A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180034013.9
申请日：2021-04-21
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/29 , A61B5/00
Abstract: 一种传感器具有传感器元件(5)和互连体(7)，该传感器元件具有相反两侧(11，9)，该互连体具有通过中间段(42)互连的第一端子段(13F)和第二端子段(13B)。第一端子段(13F)被定位成抵靠传感器元件的第一侧(11)且包括第一接触端子(50)。第二端子段(13B)被定位成抵靠传感器元件的相反两侧中的第二侧(9)且在面向第二侧(11)的表面上包括第二接触端子(52)。存在外部的第三接触端子(54)和外部的第四接触端子(56)。该互连体提供第一接触端子(50)和第四接触端子(56)之间以及第二接触端子(52)和第三接触端子(54)之间的电连接件。
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公开(公告)号：CN104023860B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201280063552.6
申请日：2012-12-13
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: B06B1/0292 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明涉及一种超声换能器设备，其包括至少一个cMUT单元(30)，其用于发射和/或接收超声波，所述cMUT单元(30)包括单元薄膜(30a)和单元薄膜下方的空腔(30b)。所述设备还包括基底(10)，其具有第一侧面(10a)和第二侧面(10b)，所述至少一个cMUT单元(30)被布置在所述基底(10)的所述第一侧面(10a)上。所述基底(10)包括基底基层(12)和在正交于基底侧面(10a、10b)的方向上延伸进所述基底(10)的多个相邻沟槽(17a)，其中，在相邻沟槽(17a)之间形成每个间隔物(12a)。所述基底(10)还包括连接空腔(17b)，其连接所述沟槽(17a)并且在平行于所述基底侧面(10a、10b)的方向上延伸，所述沟槽(17a)和所述连接空腔(17b)一起形成所述基底(10)中的基底空腔(17)。所述基底(10)还包括基底薄膜(23)，其覆盖所述基底空腔(17)。所述基底空腔(17)位于所述cMUT单元(30)下方的所述基底(10)的区域中。本发明还涉及一种制造这样的超声换能器设备的方法。
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公开(公告)号：CN104066521A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006576.2
申请日：2013-01-18
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: B06B1/02
CPC classification number: H02N1/006 , B06B1/0292 , B81B3/00 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C1/00373 , H02N1/08
Abstract: 本发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)特别是CMUT的方法，所述方法包括：在基底(1)上沉积第一电极层(10)；在所述第一电极层(10)上沉积第一介电薄膜(20)；在所述第一介电薄膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是可移除的，以形成所述换能器的空腔(35)；在所述牺牲层(30)上沉积第二介电薄膜(40)；并且，在所述第二介电薄膜(40)上沉积第二电极层(50)，其中，所述第一介电薄膜(20)和/或所述第二介电薄膜(40)包括：包括氧化物的第一层、包括高k材料的第二层以及包括氧化物的第三层，并且其中，通过原子层沉积来执行所述沉积步骤。本发明还涉及一种通过这样的方法来制造的电容式微机械换能器(100)，特别是CMUT。
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公开(公告)号：CN103875068A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280050826.8
申请日：2012-10-12
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/5226 , B06B1/0292 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53271 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2924/1461 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种穿晶片通路设备（10），包括晶片（12），所述晶片（12）由晶片材料制成并且具有第一晶片表面（12a）和与所述第一晶片表面（12a）相对的第二晶片表面（12b）。所述穿晶片通路设备（10）还包括多个并排的第一沟槽（14），所述第一沟槽（14）被提供有导电材料并且从所述第一晶片表面（12a）延伸到所述晶片（12）中，使得在各所述第一沟槽（14）之间形成所述晶片材料的多个间隔（16）。所述穿晶片通路设备（10）还包括第二沟槽（18），所述第二沟槽（18）被提供有所述导电材料并且从所述第二晶片表面（12b）延伸到所述晶片（12）中，所述第二沟槽（18）被连接到所述第一沟槽（14）。所述穿晶片通路设备（10）还包括导电层（20），所述导电层（20）由所述导电材料制成，并且被形成在所述第一晶片表面（12a）的侧部上，所述导电材料填充所述第一沟槽（14），使得第一导电层（20）具有基本上平面且封闭的表面。
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