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公开(公告)号:CN119670662A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411721362.X
申请日:2024-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/373 , G06F30/367 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种仿真功率附加效率的改进型K参数行为模型建模方法,包括以下步骤:步骤1、基于IP核的改进型K参数模型数据获取;步骤2、改进型K参数模型参数提取;步骤3、功率附加效率动态计算实现;步骤4、改进型K参数模型仿真与验证。本发明通过对K参数模型的公式进行扩展,突破了功率附加效率的动态计算方法,实现了基于K参数模型的芯片功率附加效率的仿真预测。
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公开(公告)号:CN119129503A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411245988.8
申请日:2024-09-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367 , G06F111/20 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/12
Abstract: 本发明属于但不限于功放芯片技术领域,尤其涉及一种表格基频域行为模型参数提取方法及系统,包括:步骤1:不同输入功率下芯片输出特性测试;步骤2:功放芯片的P2D模型参数提取;步骤3:偏置电流和三阶交调产物模型文件提取;步骤4:三阶交调和功率附加效率动态计算实现;步骤5:功放芯片P2D模型仿真与实测对比验证。本发明基于表格基频域P2D行为模型,提出了一种能够表征功率附加效率和三阶交调的行为模型参数提取方法,通过结合芯片内动态漏极电流实测数据、芯片三阶交调产物输出功率和芯片基波输出功率仿真结果,突破了功率附加效率和三阶交调的动态计算方法,实现了表格基频域P2D模型的芯片功率附加效率和三阶交调的仿真预测。
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