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公开(公告)号：CN117592413A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311581479.8
申请日：2023-11-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法，基于区域划分模型的GaN HEMT高低温模型，建立了考虑高低温效应的物理基噪声模型。该模型通过高低温夹断电压模型参数、迁移率模型参数、高低温电流模型参数、其余关键参数的高低温模型参数提取组合，以及采取的高低温噪声特性专门计算方法。对比目前已有的噪声建模及参数提取技术，该噪声模型没有拟合参数，大大简化了噪声参数提取流程；且可应用于不同环境温度下，均具有较高精度，可以为复杂工作环境下的低噪声放大器电路设计，及器件优化提供更加精确灵活的指导。
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公开(公告)号：CN117217158A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311223059.2
申请日：2023-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种金丝螺旋电感复合模型参数提取方法、装置及可存储介质，涉及集成电路设技术领域，其中方法包括以下步骤：S1：将待提取金丝以及待提取螺旋电感进行键合，得到对应的复合结构以及等效电路模型；S2：对所述复合结构进行场仿真，得到对应的S参数，并根据所述S参数得到对应的等效电路元件提取参数；S3：改变所述待提取金丝以及所述待提取螺旋电感的键合位置，基于不同键合位置得到多个新的复合结构以及等效电路模型，重复进行S2后，得到每个键入位置对应的等效电路元件参数提取结果等步骤；本发明考虑了螺旋电感和金丝级联的不连续性，能够提升金丝‑电感复合结构整体仿真精度。
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公开(公告)号：CN115913845A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211497626.9
申请日：2022-11-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于无线通信系统技术领域，公开了一种可处理谐波多带发射机次生分量的数字预失真方法及系统，包括根据功率放大器非线性特性以及输入信号载波的频率的选择进行功放输出频谱的成分分析；混叠分析，根据载波频率及信号带宽的信息进行混叠分析，并调用每一个频带的回采信号进行信号质量确认；预测再生互调分量；将所有在一个载波附近的基函数乘以对应的频率系数后放入一个非线性模型中。本发明使用独立的计算单元对可能与载波混叠的谐波以及互调分量进行模型计算和补偿，并对预失真信号与载波的二次再生分量进行预测补偿，从而获得更好的多带线性化性能。
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公开(公告)号：CN117272899A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311215246.6
申请日：2023-09-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种开关用GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法，属于半导体器件建模与设计领域，包括晶体管电流模型参数提取；晶体管本征栅源和栅漏电容计算；边缘电容模型参数提取。本发明通过准确提取考虑反偏条件下源漏互置效应的等效栅极电压模型参数的方式，实现了对漏极反偏状态下电流特性的准确表征；利用边缘电容偏置相关模型的参数提取方法，实现了深夹断区非线性电容的准确表征，进而成功实现了开关器件关态下小信号和大信号特性的精准建模。
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公开(公告)号：CN119129503A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411245988.8
申请日：2024-09-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367 , G06F111/20 , G06F119/06 , G06F119/08 , G06F119/12
Abstract: 本发明属于但不限于功放芯片技术领域，尤其涉及一种表格基频域行为模型参数提取方法及系统，包括：步骤1：不同输入功率下芯片输出特性测试；步骤2：功放芯片的P2D模型参数提取；步骤3：偏置电流和三阶交调产物模型文件提取；步骤4：三阶交调和功率附加效率动态计算实现；步骤5：功放芯片P2D模型仿真与实测对比验证。本发明基于表格基频域P2D行为模型，提出了一种能够表征功率附加效率和三阶交调的行为模型参数提取方法，通过结合芯片内动态漏极电流实测数据、芯片三阶交调产物输出功率和芯片基波输出功率仿真结果，突破了功率附加效率和三阶交调的动态计算方法，实现了表格基频域P2D模型的芯片功率附加效率和三阶交调的仿真预测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118611608A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410773990.6
申请日：2024-06-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于微波集成电路技术领域，公开了一种点频大功率高效率内匹配功率放大器及方法，本发明提供的点频大功率高效率内匹配功率放大器包括：微带线MILNn(n＝1，2，3，4，5，6)，功率管Q1，串联隔直电容C1和C7，栅极供电串联稳定电阻R1，栅极供电微带线MILN1，栅极串联隔交电感L1，漏极供电微带线MILN6，并联去耦电容C2和C7。本发明提出了一种新型的点频大功率高效率内匹配功率放大器，在输入匹配方面，通过采用二次谐波调谐支节和三次谐波调谐支节精确调节输入二次谐波和三次谐波阻抗，并实现了谐波匹配和基波匹配的分离，简化设计过程。
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公开(公告)号：CN117723919A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311004498.4
申请日：2023-08-10
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种覆盖W频段的异质双极晶体管小信号模型参数提取方法。通过针对待提取参数的晶体管，执行晶体管多偏置S参数和无源校准结构S参数测试；所述无源校准结构包括open结构以及short结构；根据无源校准结构执行寄生参数提取；所述寄生参数包括寄生电容、寄生电感、寄生电阻以及基极‑集电极结外部电容；对所述寄生参数进行去嵌处理，并基于去嵌后的寄生参数提取出本征参数；所述本征参数包括本征电阻、本征电容及跨导。相对于现有技术，能够实现准确描述InP HBT发射极‑集电极层叠电容效应及其偏置相关性的小信号模型参数提取，在提升InP HBT小信号模型高频精度的同时降低了参数提取难度，使其能够适用于低频至W波段的超宽带应用场景。
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公开(公告)号：CN116781875A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310606162.9
申请日：2023-05-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种可防止眩目的投影仪功能选件，包含摄像头、视频输入模块、人体识别模块、图像判断模块、后续处理模块、视频输出模块；视频输入模块将原本给到投影仪的视频源信号接收，并传给人体识别模块以及图像判断模块。当投影开始工作时，摄像头同时采集投影的投射图像并实时对比分析是否有人进入投影范围。当判断模块判定投影范围内有人进入时，会分析进入范围内人眼部的大致位置和朝向，并将位置坐标等信息传送至后续处理模块，后续处理模块会对图像进行处理，在人眼的位置输出一个纯黑色的墨镜形状。之后图像信号会通过视频输出模块的接口传输至投影仪。最后投影出的图像会在演讲者的眼部的位置输出黑色墨镜，可减少演讲者眼部的刺激，提高使用体验。
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公开(公告)号：CN115859888A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211398028.6
申请日：2022-11-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06F119/06
Abstract: 本发明提供了一种基于负载牵引的甜点搜索方法、电子装置及存储介质。通过针对需要进行牵引的晶体管，预设牵引仿真条件及功率回退范围；基于预设的牵引仿真条件，确定最大输出功率对应的源阻抗点；将最大输出功率对应的源阻抗点设定为晶体管的源阻抗，计算晶体管在每个负载阻抗点下的三阶交调特性，并确定每个负载阻抗点下的甜点位置；根据每个负载阻抗点下的甜点位置，计算每个甜点位置对应输入功率下的晶体管输出特性信息；确定最佳负载阻抗点。相比于现有技术，实现了回退范围内线性度的同步监测及甜点搜寻，且在预设回退范围内寻找各负载阻抗点下的甜点，并以阻抗圆图的形式展示不同阻抗下的甜点位置及其深度的功能。
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公开(公告)号：CN119670662A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411721362.X
申请日：2024-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/373 , G06F30/367 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种仿真功率附加效率的改进型K参数行为模型建模方法，包括以下步骤：步骤1、基于IP核的改进型K参数模型数据获取；步骤2、改进型K参数模型参数提取；步骤3、功率附加效率动态计算实现；步骤4、改进型K参数模型仿真与验证。本发明通过对K参数模型的公式进行扩展，突破了功率附加效率的动态计算方法，实现了基于K参数模型的芯片功率附加效率的仿真预测。
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