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公开(公告)号：CN117254776A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311266405.5
申请日：2023-09-28
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： H03D7/16
摘要： 本发明涉及混频器技术领域，具体涉及一种W波段宽中频基波混频器；包括基波混频器腔以及设置在基波混频器腔内的5880介质基板；所述基波混频器腔包括依次连通的WR‑10射频输入波导、主腔体和WR‑10本振输入波导；5880介质基板上表面从左端开始设置有依次连接的射频波导‑微带过渡探针、短路枝节匹配网络、肖特基二极管、本振低通滤波器和中频低通滤波器；5880介质基板下表面的右端设置有本振波导‑悬置微带探针；本发明提出使用悬置微带线双面耦合结构作为本振‑中频双工结构的连接线，与传统的混频器结构相比，本发明所提出的混频器结构的中频带宽更宽，混频性能更优。
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公开(公告)号：CN117240114A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311203124.5
申请日：2023-09-18
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要： 本发明涉及一种基于GaN HEMT的宽带高效率整流电路，包括：输入匹配网络、谐波抑制网络、直流输出电路、二次谐波抑制网络、稳流电路、射频结栅场效应晶体管、栅极匹配网络和栅极偏置电路；输入匹配网络用于对接收的信号进行隔直处理；谐波抑制网络用于对二次谐波和三次谐波进行抑制，调节基波阻抗，拓展各次谐波阻抗的分布区间从而实现宽带特性；直流输出电路用于将输入交流功率转变为直流功率进行输出；二次谐波抑制网络用于对射频结栅场效应晶体管栅极的二次谐波进行抑制；稳流电路用于防止整个电路产生振荡；栅极匹配网络，用于二次谐波抑制网络与接地端之间的阻抗匹配；栅极偏置电路，用于对射频结栅场效应晶体管的栅极提供直流偏压。
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公开(公告)号：CN114865263B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210639327.8
申请日：2022-06-08
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明属于射频通信技术领域，具体涉及一种空心基片集成波导毫米波滤波功分器；该滤波功分器包括：上层基板、中间层基板、下层基板、第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层；中间层基板位于上层基板和下层基板之间，第一金属层设置在上层基板上表面，第二金属层设置在中间层基板上表面，第三金属层设置在中间层基板下表面，第四金属层设置在下层基板下表面；中间层基板中部挖空，形成空腔，第二金属层上设置有矩形开槽；在该滤波功分器上设置有金属通孔，金属通孔贯穿第二金属层、中间层基板和第三金属层；本发明通过在金属层开槽处加载电阻，以此消耗输出端口的回波，提升了滤波功分器的隔离性能，实用性高。
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公开(公告)号：CN115276264A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211012061.0
申请日：2022-08-23
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要： 本发明属于射频电路领域，具体涉及一种宽频带高效率射频能量收集整流电路；该电路包括：阻抗匹配网络、低功率整流支路、高功率整流支路、直通滤波器和负载；阻抗匹配网络的输出端分别与直通滤波器的输入端、低功率整流支路和高功率整流支路连接，直通滤波器的输出端与负载连接；低功率整流支路中，第一十二分之波长微带线一端与低功率整流二极管连接，另一端与地连接；高功率整流支路中，高功率整流二极管一端与四分之波长微带线连接，另一端与第二十二分之波长微带线一端连接，第二十二分之波长微带线另一端与地连接；本发明对可减少谐波损耗，提高整流效率，既可以减小电路尺寸又可以消除由阻抗匹配结构造成的频带过窄的问题，实用性高。
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公开(公告)号：CN114865263A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210639327.8
申请日：2022-06-08
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明属于射频通信技术领域，具体涉及一种空心基片集成波导毫米波滤波功分器；该滤波功分器包括：上层基板、中间层基板、下层基板、第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层；中间层基板位于上层基板和下层基板之间，第一金属层设置在上层基板上表面，第二金属层设置在中间层基板上表面，第三金属层设置在中间层基板下表面，第四金属层设置在下层基板下表面；中间层基板中部挖空，形成空腔，第二金属层上设置有矩形开槽；在该滤波功分器上设置有金属通孔，金属通孔贯穿第二金属层、中间层基板和第三金属层；本发明通过在金属层开槽处加载电阻，以此消耗输出端口的回波，提升了滤波功分器的隔离性能，实用性高。
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公开(公告)号：CN118841727A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410855236.7
申请日：2024-06-28
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种加载缺陷地结构的毫米波SIW宽带带通滤波器，包括：一层介质基板和分别位于介质基板上下表面的两层金属层；所述介质基板上下两侧均设置有对称的等间距金属通孔阵列，以构成矩形SIW谐振腔体；所述上层金属层的左右两处分别设置有一个梯形过渡结构，所述过渡结构上设置有锥形渐变线，其一端连接有50欧姆微带线作为输入、输出端口，其另一端连接所述矩形SIW谐振腔。本发明采用单层矩形SIW谐振腔结构和刻蚀在其上表面的DGS单元，便实现了宽带频响特性，使得滤波器在相同性能条件下的体积更小；同时，其整体结构直观，加工简单，其仿真效果显示出良好的频率选择性和带外抑制效果。
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公开(公告)号：CN118763397A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411018278.1
申请日：2024-07-29
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要： 本发明提供一种直边连接的平面螺旋天线、1×4天线及4×4天线阵列，包括：设置在第一介质基板上的平面螺旋天线和第一接地导电壁；所述平面螺旋天线包括：在第一介质基板上从左到右依次设置的SIW馈电端口、GCPW过渡结构和螺旋线；所述SIW馈电端口和螺旋线通过GCPW过渡结构进行连接；所述第一接地导电壁呈#imgabs0#型包括：第一竖墙、以及前后两个第一横墙，所述第一竖墙的前后两端分别与两个第一横墙的左端连接；所述螺旋线设置在前后两个第一横墙之间；其中，沿第一接地导电壁的内缘设置有由第一金属化通孔构成的第一垂直导电壁，本发明提出的馈电方式减少接头所引入的损耗，结构效果较好，且尺寸更小。
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公开(公告)号：CN118054199A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410219742.7
申请日：2024-02-28
申请人： 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 重庆邮电大学
摘要： 本发明属于MIMO天线技术领域，具体涉及一种小型化八单元UWB MIMO天线；该天线包括：八个辐射贴片单元、类十字过渡金属接地板、金属接地环、四个T型隔离枝节和介质基板；八个辐射贴片单元、类十字过渡金属接地板、金属接地环和四个T型隔离枝节均印刷在介质基板上表面；类十字过渡金属接地板将介质基板均匀划分为4个区域，每个区域内均有两个辐射贴片单元和一个T型隔离枝节；本发明将天线各单元单元的隔离度提高至16dB和20dB实现了信道容量、高度隔离和小型化的统一。
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公开(公告)号：CN117039385A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311217356.6
申请日：2023-09-20
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要： 本发明涉及毫米波技术，特别涉及一种具有滤波功能的波导‑微带过渡结构，包括介质基板以及设置在介质基板上并依次连接的E面微带探针、CMRC滤波结构、阻抗变换线、微带渐变线和微带传输线，其中E面微带探针使用时安装在标准波导内部，CMRC滤波结构、阻抗变换线、微带渐变线和微带传输线设置在标准波导外部且设置在一个屏蔽腔中；本发明实现了输入模式的转换以及宽阻带的抑制功能，在保证输入低损耗的同时，缩小了传统波导‑微带探针过渡与滤波结构的长度。
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公开(公告)号：CN115911840A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211362228.6
申请日：2022-11-02
申请人： 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要： 本发明属于MIMO天线设计领域，具体涉及一种超宽带高隔离度的MIMO天线；该天线包括：第一圆形天线单元、第二圆形天线单元、介质基板和金属地板；第一圆形天线单元和第二圆形天线单元印刷在介质基板上表面，且两圆形天线单元关于对称轴镜像对称；金属地板印刷在介质基板下表面，且金属地板上刻蚀有双F型缺陷地结构和两个矩形凹槽；本发明工作频带宽，隔离度高。且整体尺寸小，同时天线达到阻抗匹配，实用性高。
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