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公开(公告)号：CN115000152A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210605096.9
申请日：2022-05-31
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有低反向恢复电荷的超结功率器件终端结构，包括漏极结构、耐压层结构以及源极结构，在耐压层结构的表面设置有p+短路区(9)、n+短路区(10)、浮空金属(11)，p+短路区(9)、n+短路区(10)相邻设置，所述p+短路区(9)位于p型漂移区(4)上表面且远离源极一侧；所述n+短路区(10)位于n型漂移区(3)上表面且远离源极一侧；所述浮空金属(11)同时与p+短路区(9)和n+短路区(10)上表面接触；本发明具有低反向恢复电荷的超结功率器件终端结构，降低了反向恢复过程中漂移区内空穴的积累，从而改善了其反向恢复特性，减少了反向恢复功耗。
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公开(公告)号：CN113851542A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111123112.2
申请日：2021-09-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET。本发明的器件在耐压区的超结结构中引入了高浓度的P型缓冲层，引入的P型缓冲层延长了其体二极管漂移区的长度，使得漂移区内的载流子分布更加靠近漏极，这减缓了漂移区内载流子的抽取，同时，高掺杂的P型缓冲层在器件耐压时不会完全耗尽，因此反向导通时高掺杂的P型缓冲层内的载流子可以被缓慢地抽取，反向恢复电流的下降率di/dt得以降低，反向恢复特性得以改善。本发明的有益效果为，本发明的具有软反向恢复特性的超结MOSFET，优化了反向恢复时的di/dt和dv/dt，从而改善了超结MOSFET反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN114975599A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210605208.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种增强反向恢复特性的超结功率器件终端结构，该结构包括：漏极结构、耐压层、源极结构以及绝缘介质层；漏极结构包括漏极金属和n+漏区；漏极金属上沉积有n+漏区；耐压层包括n型漂移区、p型漂移区以及n型场截止环；p型漂移区和n型场截止环分别与n型漂移区连接，且n型漂移区与n+漏区接触；源极结构包括p型阱区、p+源极以及源极金属；p型阱区与耐压层接触，p+源极位于p型阱区上表面，源极金属与p+源极上表面接触；绝缘介质层设置在n+漏区和n型漂移区之间；本发明在漏极结构和耐压层之间引入绝缘介质层，增加了空穴在漂移区内的积累、改善了空穴的分布，提高了器件的反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN113851542B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202111123112.2
申请日：2021-09-24
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有软反向恢复特性的超结MOSFET。本发明的器件在耐压区的超结结构中引入了高浓度的P型缓冲层，引入的P型缓冲层延长了其体二极管漂移区的长度，使得漂移区内的载流子分布更加靠近漏极，这减缓了漂移区内载流子的抽取，同时，高掺杂的P型缓冲层在器件耐压时不会完全耗尽，因此反向导通时高掺杂的P型缓冲层内的载流子可以被缓慢地抽取，反向恢复电流的下降率di/dt得以降低，反向恢复特性得以改善。本发明的有益效果为，本发明的具有软反向恢复特性的超结MOSFET，优化了反向恢复时的di/dt和dv/dt，从而改善了超结MOSFET反向恢复特性。
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