突发混合噪声下线性与非线性调制的最大似然解调方法

    公开(公告)号:CN118449824A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410651965.0

    申请日:2024-05-24

    IPC分类号: H04L27/14 H04L27/20 H04L27/22

    摘要: 本发明属于通信技术领域,尤其是涉及一种突发混合噪声下线性与非线性调制的最大似然解调方法。本发明针对高斯白噪声和突发非高斯脉冲噪声同时存在的场景,基于两种噪声叠加后形成的突发混合噪声概率统计模型,设计了最大似然准则下的线性和非线性调制方式最佳信号解调算法,具体为基于概率统计模型,通过计算其条件概率密度函数,结合马尔可夫性质,提出了针对于突发混合噪声场景下的线性和非线性调制信号的ML解调方法。本发明能够在突发混合噪声场景中提高通信系统的解调性能,与传统解调算法相比,当误码率达到10‑3量级时有至少2.2dB性能增益。

    一种硅基硅化镁薄膜光电探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN118486759A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410489656.8

    申请日:2024-07-12

    摘要: 本发明涉及一种硅基硅化镁薄膜光电探测器的制备方法,属于光电探测器技术领域,本发明中硅化镁光电探测器的制备方法为:在硅基片上依次制备金属镁薄膜、硅薄膜、金属薄膜;热处理使镁薄膜与上下硅层反应生成硅化镁薄膜;将顶层金属薄膜刻蚀成电极图案形成光电探测器。该制备方法中在镁薄膜上制备硅薄膜及金属薄膜,一方面,可使镁与其上层和下层的硅同时进行固相反应生成硅化镁薄膜;另一方面,上层硅薄膜与金属薄膜的覆盖可以抑制镁在热反应过程中的蒸发。相比传统的硅化镁薄膜及器件制备方法,缩短了硅镁固相反应时间,提高了硅化镁薄膜的生长质量,最后刻蚀顶部金属为电极层便可形成光电探测器,制备工艺简单、方便集成。

    基于特征融合的频谱态势生成质量评价方法

    公开(公告)号:CN118445763A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410397285.0

    申请日:2024-04-03

    摘要: 本发明属于无线通信技术领域,具体涉及一种基于特征融合的频谱态势生成质量评价方法。本发明提出一种基于特征融合的频谱态势生成质量评价方法,将通过频谱态势生成算法生成的频谱态势与采样数据分别预处理为辐射源的功率谱密度、空间损耗场函数以及采样误差矩阵,将预处理后的数据通过独立分支的卷积神经网络进行特征提取,然后将提取后的特征通过基于Transformer编码器的特征融合模块进行特征融合,最后将融合后的特征通过分数回归器进行质量分数预测。对比缺少特征融合模块和手工特征提取方法,本方法在RMSE和PLCC两种指标上均有明显的提升,能有效实现生成频谱态势的实时质量评价。

    一种非偏振长波红外宽带吸收结构及制备方法

    公开(公告)号:CN117970540A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410255265.X

    申请日:2024-03-06

    IPC分类号: G02B5/00 G02B1/00

    摘要: 本发明公开了一种非偏振长波红外宽带吸收结构及制备方法,涉及宽带响应非偏振敏感超材料吸收结构及红外探测技术领域。该吸收结构具有构成法布里‑珀罗腔结构,包括依次叠设的金属反射层、介质层、敏感材料层和具有周期性金属圆盘阵列的超表面层,本发明利用周期性金属圆盘阵列激发的表面等离激元共振、法布里‑珀罗腔共振和敏感材料的本征吸收三者共同作用使吸收效率大幅提升。本发明提供的吸收结构,其在红外探测器领域的应用可以得到进一步发展。

    一种应用于智能窗的氧化钒薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN116395977A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310137379.X

    申请日:2023-02-20

    摘要: 本发明涉及相变材料技术领域,具体涉及一种应用于智能窗的氧化钒薄膜制备方法。VO2是一种具有相变功能的热致变色材料,可用于智能窗领域。目前经湿法刻蚀后的VO2薄膜相变温度略有上升、表面粗糙度大幅增加;而干法刻蚀处理后得到的VO2薄膜与纯湿法刻蚀的VO2薄膜相比不仅表面更加平整光滑、相变温度有所下降,且厚度也更易调控。为了进一步提升VO2薄膜的可见光透过率、太阳光调制效率,降低其相变温度,本发明在湿法刻蚀前对VO2薄膜进行干法刻蚀处理。与现有技术相比,该方法制备得到的氧化钒薄膜获得可见光透过率、太阳光调制幅度均符合智能窗使用标准。且与纯湿法刻蚀相比,膜厚更可控、粗糙度也有所下降。

    一种低维PbSe-MoSe2光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116387372A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310144589.1

    申请日:2023-02-21

    摘要: 本发明公开了一种低维PbSe‑MoSe2光电探测器及其制备方法,属于光电探测领域,包括衬底,衬底上制备有PbSe层,PbSe层上堆积有MoSe2层,进而形成PbSe‑MoSe2异质结区;PbSe层、MoSe2层分别经电极接触层与电极连接,电极与衬底连接。本发明低维PbSe‑MoSe2光电探测器的响应速度为微秒量级,相比于PbSe纳米材料其响应速度提升了一个量级;同时,本发明低维PbSe‑MoSe2光电探测器,具有更小的暗电流,在1V偏压下本发明的所得PbSe‑MoSe2光电探测器暗电流为10‑10安量级,相比PbSe纳米材料低4个数量级;另外,本发明低维PbSe‑MoSe2光电探测器,无需调控栅压,在0V偏压下即可有较大的开关比。

    一种高吸收低热容的微测辐射热计

    公开(公告)号:CN115406540A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211044187.6

    申请日:2022-08-30

    摘要: 本发明公开了一种高吸收低热容的微测辐射热计,属于辐射热计领域,包括多个像元结构,所述像元结构包括依次连接的第一敏感单元、第一真空谐振腔、第二敏感单元和反射层,其中,反射层和第二敏感单元之间设有第二真空谐振腔,所述第二真空谐振腔用于将反射层反射回的入射光进行多次谐振吸收;所述第一敏感单元上设有第一开孔结构,所述第二敏感单元上均设有第二开孔结构,所述第一开孔结构用于与第一真空谐振腔产生共振耦合,所述第二开孔结构用于与第二真空谐振腔产生共振耦合。通过引入开孔设计,可以有效提升微测辐射热计吸收特性,减小热容,从而提升器件响应速度,从而制备出高质量、高吸收、具有较低电容的微测辐射热计。

    一种新环境下干扰识别的鲁棒性方法

    公开(公告)号:CN115249025A

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202111208229.0

    申请日:2021-10-18

    IPC分类号: G06K9/00 G06N3/04 G06N3/08

    摘要: 本发明公开了一种新环境下干扰识别的鲁棒性方法,属于信号干扰领域。本发明首先设置基于卷积神经网络的干扰识别模型,并采用静默期的采集信号作为第一训练集,对干扰识别模型进行基础训练;再采用非静默期的采集信号作为第二训练集,对步骤2训练好的干扰识别模型进行第二次训练,并将第二次训练好的干扰识别模型作为干扰识别器;其中,第二训练与基础训练采用的损失函数和优化函数相同,第二训练过程中采用的学习率低于基础训练采用的学习率;对待识别信号信号进行预处理后输入干扰识别器获取识别结果。本发明对干扰识别效果良好,且本发明适用于当信道环境发生变化,噪声改变时等新环境下的干扰识别。