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公开(公告)号：CN119337787A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411385147.7
申请日：2024-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F30/337
Abstract: 本发明公开了一种基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法，涉及集成电路技术领域，本发明实施例的基于FDSOI器件的SRAM总剂量效应建模仿真方法，将总剂量辐照仿真后的FDSOI器件状态保存以用于SRAM电路的总剂量效应仿真，可以综合考虑总剂量效应对电路中器件的阈值电压、互耦电容、寄生电阻等电学参数的影响，从而对辐照条件下，SRAM的噪声容限等参数进行更为准确的结果分析，这种方法可以克服现有电路级仿真的局限性。在TCAD中直接进行的仿真可以规避掉现有电路级仿真的器件模型带来的误差，使得仿真结果更为准确。
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公开(公告)号：CN110021655B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910319235.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种具有阶梯N型重掺杂埋层的半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该器件在P型外延层上部中间区域形成N型漂移辅助区，其左端与P型基区邻接，右端与半超结区邻接；P型外延层内部设置有阶梯N型重掺杂埋层；较薄的N型重掺杂埋层上端与半超结区的距离W满足使较薄的N型重掺杂埋层上方的P型外延层完全耗尽；阶梯N型重掺杂埋层的阶梯高度h与重掺杂浓度相适配。本发明在解决衬底辅助耗尽效应的同时，通过调节漏源两端的电场分布，进一步优化了击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系，实现了高的击穿电压和低的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN107065784A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710322406.5
申请日：2017-05-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G05B19/414
CPC classification number: G05B19/4142 , G05B2219/34013
Abstract: 本发明公开了一种用于直角坐标机器人在高速运动中实现在线多级调整方法。方法提出了这一种基于非对称、多内核的运动控制板及机器视觉的硬件条件下以自适应的速度曲线规划、基于变速的插补控制及自适应的模糊PID反馈控制相结合的控制方法，实现了CNC系统的在线调整运动参数，在提高了系统的响应实时性的同时，保证了系统在多次预测后进行逐步调整时的鲁棒性。本发明解决了普通控制方法的参数固定，无法做到运动的终点位置发生突变后的运动状态在线实时更新及发生终点位置突变后系统会产生较大抖动的问题，旨在提高运动控制的实时性和环境适应性，可衍伸应用于各类需要随着感知结果变化要进行在线的实时更新控制的工作环境。
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公开(公告)号：CN118675067A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410678278.8
申请日：2024-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V20/17 , G06V20/70 , G06V10/26 , G06V10/764 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种基于SDE_YOLOv8的高压导线断散股检测方法，包括如下步骤：采集高压导线断散股数据收集；数据集扩容与整合；增强对数据特征的学习；引入EMA注意力机制提高SDE_YOLOv8提取和关注特征信息的；改进YOLOv8损失函数，将YOLOv8中的损失函数替换成Shape‑IOU损失函数，使得模型增强对目标形状和尺寸的关注，提高检测性能；结果预测，并输出检测结果。本发明方法，将DCNv4_Net嵌入YOLOv8可以提高模型对不规则变化的学习和归纳，提高模型检测精确度，SDE_YOLOv8模型能够精准高效检测高压导线断散股故障。本发明方法为小样本目标检测提供了一个方向，提高了模型学习的速度以及目标检测的质量，检测效果更加精确。
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公开(公告)号：CN110021655A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910319235.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种具有阶梯N型重掺杂埋层的半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该器件在P型外延层上部中间区域形成N型漂移辅助区，其左端与P型基区邻接，右端与半超结区邻接；P型外延层内部设置有阶梯N型重掺杂埋层；较薄的N型重掺杂埋层上端与半超结区的距离W满足使较薄的N型重掺杂埋层上方的P型外延层完全耗尽；阶梯N型重掺杂埋层的阶梯高度h与重掺杂浓度相适配。本发明在解决衬底辅助耗尽效应的同时，通过调节漏源两端的电场分布，进一步优化了击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系，实现了高的击穿电压和低的比导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119673730A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411779393.0
申请日：2024-12-05
Applicant: 昆山国力电子有限公司 , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双脊多孔超构材料单元的小型化高效率多注速调管，包括依次连接的一号腔、一号漂移管组合、二号腔、二号漂移管组合、三号腔、三号漂移管组合和四号腔，所述一号腔设有同轴能量输入装置，所述二号腔设有同轴能量输出装置；所述一号腔、二号腔、三号腔和四号腔均为一个圆柱形谐振腔，所述圆柱形谐振腔内具有一对内部漂移管以及一个双脊多孔超构材料单元，一对所述内部漂移管设于所述圆柱形谐振腔的两端；定义速调管的输入方向为左侧，所述圆柱形谐振腔内左侧的内部漂移管与双脊多孔超构材料单元固定连接，使得该器件能够在大功率输出的同时实现小型化、低电压和高效率。
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公开(公告)号：CN116860058B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310949752.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提出了一种电流模式带有高阶曲率补偿的带隙基准电路，通过引入额外的补偿电流，对双极型晶体管的基极‑发射极电压进行高阶补偿，以此来解决传统带隙基准电路产生的基准电压温漂系数比较大的问题。本发明包括启动电路、基准电压产生电路、补偿电流产生电路,启动电路用于帮助基准电压产生电路摆脱简并点可以正常运行，基准电压产生电路与补偿电流产生电路一起作用，产生带有高阶补偿的带隙基准电压。
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公开(公告)号：CN116860058A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310949752.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提出了一种电流模式带有高阶曲率补偿的带隙基准电路，通过引入额外的补偿电流，对双极型晶体管的基极‑发射极电压进行高阶补偿，以此来解决传统带隙基准电路产生的基准电压温漂系数比较大的问题。本发明包括启动电路、基准电压产生电路、补偿电流产生电路,启动电路用于帮助基准电压产生电路摆脱简并点可以正常运行，基准电压产生电路与补偿电流产生电路一起作用，产生带有高阶补偿的带隙基准电压。
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公开(公告)号：CN206154324U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621113806.2
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于机器视觉的三轴抛接球机器人。本实用新型包括主构架与副构架，其中主构架为三轴接抛球机构，包括底座x双轴、中层y双轴、竖直z轴、三角架、滑块、电机架和框架；副构架为工业摄像机机架；底座x双轴通过螺栓固定在框架上；滑块以三轴顺序依次将三轴联系起来，形成移动副；三角架固定在x轴滑块上；中层y双轴由螺栓固定在三脚架上；竖直z轴固定在y轴双滑块上；z轴上的滑块带动漏斗接抛球；三轴都由皮轨构成；电机架与各轴皮轨轴连接形成转动副，由电机带动三周平动。副构架为工业摄像机机架包括镶嵌有两颗工业高速摄像头的摄像机座；摄像机座固定在三脚架上。本实用新型能够更好地适应高速、高精度、作业的需求。
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公开(公告)号：CN221438365U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202420794894.5
申请日：2024-04-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及飞机推出控制设备技术领域，具体揭示了一种便于连接的飞机推出控制设备，包括飞机推车，所述飞机推车的右侧设有凹板，所述飞机推车顶部的右侧设有卡接组件，所述卡接组件包括框架，所述框架的底部与飞机推车固定连接，所述框架的内腔活动套设有螺杆，所述螺杆表面的顶部套设有副齿轮，所述框架顶部的一端设有电机，所述电机的输出端设有主齿轮。本实用新型在需要把飞机推车上凹板和外设连接杆进行连接时，首先移动飞机推车，通过飞机推车带动凹板进行移动，在凹板与外设连接杆对接完成以后，此时电机运行，通过电机带动主齿轮进行转动，通过主齿轮带动副齿轮进行转动，通过副齿轮带动螺杆进行转动。
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