公开(公告)号：CN114512380B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210104288.1

申请日：2022-01-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈飞良 ,  李沫 ,  张健 ,  魏亚洲 ,  赵键澎 ,  王佳超 ,  黄瑞涵 ,  赵海全 ,  杨帆 ,  姜昊

IPC: H01J9/02

Abstract: 本发明提供了一种栅极自对准的垂直纳米空气沟道三极管制备方法，属于半导体晶体管技术领域。该制备方法首先在衬底上形成第一台面，再依次沉积介质层和第二台面，利用在存在高度差的衬底和第一台面同时沉积介质和第二台面的技术，可实现栅极与源漏极之间的自对准，精度可达纳米级。该方法采用普通紫外光刻和镀膜工艺即可快速方便地实现大面积晶元级纳米空气沟道三极管的批量制备，通过控制镀膜厚度即可精确控制纳米空气沟道的长度以及栅极与源漏极之间的距离与相对位置，具备操作简单易行、良率高、工艺一致性和重复性好的优点。

公开(公告)号：CN115498025A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210871634.9

申请日：2022-07-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李沫 ,  赵键澎 ,  陈飞良 ,  魏亚洲 ,  张健

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种带栅极保护层的垂直纳米空气沟道三极管制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明的结构包括设有在衬底上的两个栅极，两个栅极之间具有空隙；两个栅极均由绝缘层、栅极层和保护层组成；其中栅极层位于绝缘层上，保护层覆盖在栅极层的外表面上且与绝缘层共同包裹住栅极层的工作区；通过两栅极相对面之间的空隙形成纳米空气沟道。通过保护层覆盖在栅极层的外表面上且与绝缘层共同包裹住栅极层的工作区这一设置方式，避免了裸露的栅极发射、捕获电子，对器件性能造成不利影响。其制备方法上，不依赖于昂贵的纳米加工设备，仅需要普通紫外光刻便可以实现nm级的空气沟道，成本低、简便易行，具备实用性。

公开(公告)号：CN114512380A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210104288.1

申请日：2022-01-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈飞良 ,  李沫 ,  张健 ,  魏亚洲 ,  赵键澎 ,  王佳超 ,  黄瑞涵 ,  赵海全 ,  杨帆 ,  姜昊

IPC: H01J9/02

Abstract: 本发明提供了一种栅极自对准的垂直纳米空气沟道三极管制备方法，属于半导体晶体管技术领域。该制备方法首先在衬底上形成第一台面，再依次沉积介质层和第二台面，利用在存在高度差的衬底和第一台面同时沉积介质和第二台面的技术，可实现栅极与源漏极之间的自对准，精度可达纳米级。该方法采用普通紫外光刻和镀膜工艺即可快速方便地实现大面积晶元级纳米空气沟道三极管的批量制备，通过控制镀膜厚度即可精确控制纳米空气沟道的长度以及栅极与源漏极之间的距离与相对位置，具备操作简单易行、良率高、工艺一致性和重复性好的优点。