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公开(公告)号：CN112953220A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110146563.1
申请日：2021-02-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了带有电流检测和控制的DC‑DC转换器，包括驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路，还设置有电流比较反馈模块及电压比较反馈模块，所述电压比较反馈模块分别连接驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路，用于调节稳定电压输出大小；所述电流比较反馈模块分别连接驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路，用于检测电容纹波，稳定纹波输出，通过将DC‑DC转换器输出电容两端的电压纹波转换为电流，再对电流进行比较，将得到的输出信号传入驱动控制模块，控制输出PWM信号的占空比，进而达到稳定输出的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112985649B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110103353.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性分布式电容触觉传感器的力学信息检测系统，设置有电源模块，用于实现力学信息检测系统的供电以及提供柔性分布式电容触觉传感器的偏置电压；信号输入模块，接收柔性分布式电容触觉传感器的电容模拟信号，降噪后转换为电容数字信号送入主控模块；主控模块，对输送至其内的电容数字信号采用测量模式或实验模式进行数据处理，并将处理后的数据传输至结果输出模块进行展示；结果输出模块，利用显示屏、蓝牙、USB接口输出柔性分布式电容触觉传感器的物理模型或检测到的力学信息，自动拟合柔性分布式电容触觉传感器的电学信号和力学信号的物理曲线，并根据拟合曲线自动解耦力学信号，识别感知到的力学信号模式。
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公开(公告)号：CN113031690A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110269161.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路，包括一阶MOS带隙基准电路、高温区域补偿电路、低温区域补偿电路以及启动电路。本发明采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压产生负温度系数的电压VCTAT，两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压之差产生正温度系数的电压VPTAT，而后加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1、VNL2以及低温区域温度分段补偿电压VNL3、VNL4引入到一阶MOS带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN112953220B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110146563.1
申请日：2021-02-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了带有电流检测和控制的DC‑DC转换器，包括驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路，还设置有电流比较反馈模块及电压比较反馈模块，所述电压比较反馈模块分别连接驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路，用于调节稳定电压输出大小；所述电流比较反馈模块分别连接驱动控制和PWM发生模块、DC‑DC基础电路，用于检测电容纹波，稳定纹波输出，通过将DC‑DC转换器输出电容两端的电压纹波转换为电流，再对电流进行比较，将得到的输出信号传入驱动控制模块，控制输出PWM信号的占空比，进而达到稳定输出的目的。
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公开(公告)号：CN112985649A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110103353.4
申请日：2021-01-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性分布式电容触觉传感器的力学信息检测系统，设置有电源模块，用于实现所述识别系统的供电以及提供柔性分布式电容触觉传感器的偏置电压；信号输入模块，接收柔性分布式电容触觉传感器的电容模拟信号，降噪后转换为电容数字信号送入主控模块；主控模块，对输送至其内的电容数字信号采用测量模式或实验模式进行数据处理，并将处理后的数据传输至结果输出模块进行展示；结果输出模块，利用显示屏、蓝牙、USB接口输出柔性分布式电容触觉传感器的物理模型或检测到的力学信息，自动拟合柔性分布式电容触觉传感器的电学信号和力学信号的物理曲线，并根据拟合曲线自动解耦力学信号，识别柔性分布式电容触觉传感器感知到的力学信号模式。
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公开(公告)号：CN113031690B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110269161.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路，包括一阶MOS带隙基准电路、高温区域补偿电路、低温区域补偿电路以及启动电路。本发明采用工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压产生负温度系数的电压VCTAT，两个工作在亚阈值区的NMOS管的栅极‑源极电压之差产生正温度系数的电压VPTAT，而后加权获得一阶带隙基准电压，将高温区域温度曲率补偿电压VNL1、VNL2以及低温区域温度分段补偿电压VNL3、VNL4引入到一阶MOS带隙基准电路，获得低温度系数的带隙基准电压，从而获得了一种低温漂的高阶温度补偿MOS带隙基准电路。
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