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公开(公告)号:CN117897034A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410078915.8
申请日:2024-01-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于热释电线列器件的设计及微细加工领域,具体为一种单晶热释电薄膜多元红外传感器件的信号引出方法。本发明采用NiCr合金作为上电极和吸收层,将用于研究界面结构、材料分析的FIB聚焦离子束技术首次用于多元红外传感器件的底电极信号引出,通过第一次光刻制备图形化上电极时预留打孔的位置直观的精准打孔至底电极,进而与外电路完成电极互联使得整体器件能正常输出电信号。本发明有效解决了行业当前存在未刻到或过刻下电极,以及工艺复杂、加工难度大的问题。