-
-
公开(公告)号：CN109950336B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910312443.7
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种黑硅材料及其制备方法，解决了现有的硒元素掺杂黑硅材料制备方法的不足，制备方法包括：获取清洁衬底；采用热蒸发法在衬底表面沉淀一层硒膜；在氟化氢气体氛围下，利用飞秒激光扫描烧蚀；除去材料表面氧化硅，得到黑硅材料。本发明在飞秒激光烧蚀衬底材料的过程中，引入了氟元素，借助氟元素与衬底硅材料产生的化学反应，制备得到的黑硅材料，表面具有微结构尖锥阵列，即“黑森林”结构，这种黑硅材料具有很强的陷光性，因此这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，对可见光和近红外波段吸收率可扩大到93％以上。
-
公开(公告)号：CN110012246A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910233427.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04N5/378 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种焦平面阵列读出电路高速窗口功能的实现方法，包括：在规模大小为M×N、读出方式为逐行积分，逐行输出的焦平面阵列中，单个阵列像元命名为P(i，j)，代表位于第i行，第j列的像元；焦平面阵列中的每个像元可连接至两个列读出通道；读出电路中的通道选择电路根据读出电路工作模式，通过控制像元P(i，j)连接至第j列的列读出通道或第j+M/2列的列读出通道或第j-M/2列的列读出通道；本发明的焦平面阵列读出电路的窗口功能的实现方法通过充分利用闲置的读出通道将一种半固定的窗口模式(窗口大小为(M/2)×n)下的读出电路输出帧频相对于全阵列模式提高至理想情况下的(2N/n)倍。
-
公开(公告)号：CN109974863A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910156346.3
申请日：2019-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/02 , H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种应用于紫外焦平面探测器的积分电路，所述积分电路将紫外焦平面探测器的光电流信号通过积分放大器在积分电容上进行线性积分放大转换为电压信号，并通过低漏电流结构降低漏电流的影响，减小积分输出的起始电压；本发明的积分电路在传统结构上加入低漏电流结构得到线性度更高，输出范围更大的积分电压，为后续的采样电路提供线性度更高的积分电压且增大输出电压范围。
-
公开(公告)号：CN109950336A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910312443.7
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种黑硅材料及其制备方法，解决了现有的硒元素掺杂黑硅材料制备方法的不足，制备方法包括：获取清洁衬底；采用热蒸发法在衬底表面沉淀一层硒膜；在氟化氢气体氛围下，利用飞秒激光扫描烧蚀；除去材料表面氧化硅，得到黑硅材料。本发明在飞秒激光烧蚀衬底材料的过程中，引入了氟元素，借助氟元素与衬底硅材料产生的化学反应，制备得到的黑硅材料，表面具有微结构尖锥阵列，即“黑森林”结构，这种黑硅材料具有很强的陷光性，因此这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，对可见光和近红外波段吸收率可扩大到93％以上。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN109559286B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201811378400.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种方差梯度约束法红外图像边缘保持去噪方法，以目标像素点为中心，获得M*P窗口的像素区域，对正东方向和正西方向上求得的所有灰度差进行求和形成X方向梯度，对正北方向和正南方向上求得的所有灰度差求和形成Y方向梯度，对西北方向和东南方向上求得的所有灰度差求和形成XY方向梯度，对东北方向和西南方向上求得的所有灰度差求和YX方向梯度；获得新X方向梯度、新Y方向梯度、新XY方向梯度、新YX方向梯度；获得M*P窗口的像素区域中所有像素点灰度值的方差，对方差进行归一化处理，将新X方向梯度、新Y方向梯度、新XY方向梯度、新YX方向梯度、以及方差归一化值作为目标像素点的去噪因子参与去噪处理。
-
公开(公告)号：CN109974863B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910156346.3
申请日：2019-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/02 , H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种应用于紫外焦平面探测器的积分电路，所述积分电路将紫外焦平面探测器的光电流信号通过积分放大器在积分电容上进行线性积分放大转换为电压信号，并通过低漏电流结构降低漏电流的影响，减小积分输出的起始电压；本发明的积分电路在传统结构上加入低漏电流结构得到线性度更高，输出范围更大的积分电压，为后续的采样电路提供线性度更高的积分电压且增大输出电压范围。
-
公开(公告)号：CN110012246B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910233427.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04N5/378 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种焦平面阵列读出电路高速窗口功能的实现方法，包括：在规模大小为M×N、读出方式为逐行积分，逐行输出的焦平面阵列中，单个阵列像元命名为P(i，j)，代表位于第i行，第j列的像元；焦平面阵列中的每个像元可连接至两个列读出通道；读出电路中的通道选择电路根据读出电路工作模式，通过控制像元P(i，j)连接至第j列的列读出通道或第j+M/2列的列读出通道或第j‑M/2列的列读出通道；本发明的焦平面阵列读出电路的窗口功能的实现方法通过充分利用闲置的读出通道将一种半固定的窗口模式(窗口大小为(M/2)×n)下的读出电路输出帧频相对于全阵列模式提高至理想情况下的(2N/n)倍。
-
公开(公告)号：CN109767441A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910035186.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明公开了一种自动检测盲元标记方法，所述方法包括：获得红外热相仪拍摄的相同位置的当前帧图像和上一帧图像；计算前后两帧图像中像素点之间的温度差，通过计算出的n*n领域温度差的平均值和最小值估计中心像素点温度差，判断中心像素点是否为盲元；若中心像素点温度差等于盲元点灰度值且偏离预设估计差，则该像素点为盲元；解决了现有的人工标记效率较低技术问题，实现了自动对盲元进行检测标记的技术效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.029 seconds)
