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公开(公告)号：CN108599570B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810564860.6
申请日：2018-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明公开了一种具有动态调节限流阈值的电路，所述电路包括：自适应限流电路，自适应限流电路与驱动电路连接，自适应限流电路用于时时监测电感电流的变化，当检测到电流的异常变化时，通过将限流电路的阈值适当提高从而提前对系统进行调节，避免电感电流出现负值的情形；驱动电路，驱动电路与buck的基本拓扑结构连接，驱动电路用于将PWM和CLK信号处理成驱动信号TG和BG；buck的基本拓扑结构配和驱动电路，用于将输入电压Vin降低到所需要的电压；通过电流检测电路、微分电路、比较电路对电感电流的实时监测，提前检测到电感电流的异常变化并选择合适的限流阈值，从而防止电感电流出现先将为负值的情况，提升系统的整体性能。
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公开(公告)号：CN109974863A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910156346.3
申请日：2019-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/02 , H03K19/003 , H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了一种应用于紫外焦平面探测器的积分电路，所述积分电路将紫外焦平面探测器的光电流信号通过积分放大器在积分电容上进行线性积分放大转换为电压信号，并通过低漏电流结构降低漏电流的影响，减小积分输出的起始电压；本发明的积分电路在传统结构上加入低漏电流结构得到线性度更高，输出范围更大的积分电压，为后续的采样电路提供线性度更高的积分电压且增大输出电压范围。
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公开(公告)号：CN109950336A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910312443.7
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种黑硅材料及其制备方法，解决了现有的硒元素掺杂黑硅材料制备方法的不足，制备方法包括：获取清洁衬底；采用热蒸发法在衬底表面沉淀一层硒膜；在氟化氢气体氛围下，利用飞秒激光扫描烧蚀；除去材料表面氧化硅，得到黑硅材料。本发明在飞秒激光烧蚀衬底材料的过程中，引入了氟元素，借助氟元素与衬底硅材料产生的化学反应，制备得到的黑硅材料，表面具有微结构尖锥阵列，即“黑森林”结构，这种黑硅材料具有很强的陷光性，因此这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，对可见光和近红外波段吸收率可扩大到93％以上。
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公开(公告)号：CN109787606A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910019805.3
申请日：2019-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了红外焦平面阵列行选通保护电路，包括行选信号提取电路、行选通保护电路；行选信号提取电路被配置为同时对所有行选支路信号进行提取后输出一控制信号Row_comb并控制行选通保护电路的电路，若所有行选支路信号中有任意一个行选支路信号在当前时刻时为选中行选信号，则当前控制信号Row_comb为正控制信号，若所有行选支路信号在当前时刻时均为未选中行选信号，则当前控制信号Row_comb为负控制信号；正控制信号的持续时间对与选中行选信号的持续时间相同；所述行选通保护电路被配置为能分辨出正控制信号的持续时间、并在正控制信号的持续时间超过预先设定的阈值时、能将输出端为高电平翻转为低电平输出至行选电路的复位端的电路。
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公开(公告)号：CN110138376B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201910425000.9
申请日：2019-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/14 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种应用于非制冷红外焦平面读出电路的坏行保护电路，为了避免非制冷红外焦平面读出电路出现一行像元一直被选中，若选中时间过长，该行像元被烧毁，导致该行像元没有响应进一步导致成像出现黑行的情况，配置了行选信号产生子电路、行选信号选择子电路、保护子电路以及片上集成振荡子电路。本发明中的保护子电路通过计数器对行选信号选择子电路的输出信号ROW_S计数，并输出保护信号ROW_P，通过将保护信号ROW_P作为反馈信号控制行选信号产生子电路的清零端rst，使得当行选信号ROW 控制时序异常时，进入保护状态，避免该行像元被选中的时间过长，从而起到保护作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111447382A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010268809.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种焦平面阵列非均匀性校正方法及校正电路，本发明通过在焦平面阵列读出电路中集成一非均匀性校正模块，非均匀性校正模块逐行逐列读出焦平面阵列中每个阵列像元的数字化输出信号，并将所述数字化输出信号与预先设定的像元输出目标值相比较，根据比较结果，调节第j列像元阵列偏置电路中的非均匀性调节电压的电压值，直至焦平面阵列探测器不再处于非均匀性校正调节模式，非均匀性校正模块停止工作，完成非均匀性校正。本发明非均匀性校正方法所采用的非均匀性校正模块结构简单，功耗及面积消耗低；使得焦平面阵列探测器本身能够实现非均匀性校正，不再需要外界输入非均匀性校正参数或对输出图像再次进行非均匀性处理。
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公开(公告)号：CN109557143B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811276003.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明公开了一种电容型湿度传感器接口电路，包括检测支路、基准支路、两级放大支路，检测支路与基准支路共接且分别与两级放大支路是输入侧连接，两级放大支路的输出侧共接且形成所述接口电路的输出，在两级放大支路上还设置有输入侧和输出侧相连接的电容反馈支路；该电路基于开关电容电路原理，通过采用两运放分时工作的方式，解决了传统开关电容电路在采样阶段没有输出的缺点，适用于大多数电容型传感器，从而更好地实现了对微小电容的检测。
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公开(公告)号：CN109559286A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811378400.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种方差梯度约束法红外图像边缘保持去噪方法，以目标像素点为中心，获得M*P窗口的像素区域，对正东方向和正西方向上求得的所有灰度差进行求和形成X方向梯度，对正北方向和正南方向上求得的所有灰度差求和形成Y方向梯度，对西北方向和东南方向上求得的所有灰度差求和形成XY方向梯度，对东北方向和西南方向上求得的所有灰度差求和YX方向梯度；获得新X方向梯度、新Y方向梯度、新XY方向梯度、新YX方向梯度；获得M*P窗口的像素区域中所有像素点灰度值的方差，对方差进行归一化处理，将新X方向梯度、新Y方向梯度、新XY方向梯度、新YX方向梯度、以及方差归一化值作为目标像素点的去噪因子参与去噪处理。
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公开(公告)号：CN109559286B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201811378400.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种方差梯度约束法红外图像边缘保持去噪方法，以目标像素点为中心，获得M*P窗口的像素区域，对正东方向和正西方向上求得的所有灰度差进行求和形成X方向梯度，对正北方向和正南方向上求得的所有灰度差求和形成Y方向梯度，对西北方向和东南方向上求得的所有灰度差求和形成XY方向梯度，对东北方向和西南方向上求得的所有灰度差求和YX方向梯度；获得新X方向梯度、新Y方向梯度、新XY方向梯度、新YX方向梯度；获得M*P窗口的像素区域中所有像素点灰度值的方差，对方差进行归一化处理，将新X方向梯度、新Y方向梯度、新XY方向梯度、新YX方向梯度、以及方差归一化值作为目标像素点的去噪因子参与去噪处理。
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公开(公告)号：CN109787606B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910019805.3
申请日：2019-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185
Abstract: 本发明公开了红外焦平面阵列行选通保护电路，包括行选信号提取电路、行选通保护电路；行选信号提取电路被配置为同时对所有行选支路信号进行提取后输出一控制信号Row_comb并控制行选通保护电路的电路，若所有行选支路信号中有任意一个行选支路信号在当前时刻时为选中行选信号，则当前控制信号Row_comb为正控制信号，若所有行选支路信号在当前时刻时均为未选中行选信号，则当前控制信号Row_comb为负控制信号；正控制信号的持续时间对与选中行选信号的持续时间相同；所述行选通保护电路被配置为能分辨出正控制信号的持续时间、并在正控制信号的持续时间超过预先设定的阈值时、能将输出端为高电平翻转为低电平输出至行选电路的复位端的电路。
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