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公开(公告)号：CN103545350B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310526919.X
申请日：2013-10-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于横向高压器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第二深槽，对第二深槽进行填充并形成第二导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第三深槽，在第三深槽中填充介质形成介质槽，介质槽的两侧分别与第一导电类型杂质条和第二导电类型杂质条连接。本发明的有益效果为，缓解了器件比导通电阻与耐压的矛盾关系，并且介质槽形成折叠漂移区，可缩小有源区面积，能够显著降低比导通电阻。本发明尤其适用于横向高压器件漂移区的制造。
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公开(公告)号：CN103545219A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310525043.7
申请日：2013-10-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1045 , H01L21/26513
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于半导体器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区31上进行刻蚀，形成介质槽2；在介质槽2的一侧注入P型杂质，形成P型杂质条43；在介质槽2的另一侧注入N型杂质，形成N型杂质条34；对介质槽2进行介质填充；平坦化去除多余的介质。本发明的有益效果为，不需要掺杂条的外延生长，只需一次深槽刻蚀，一次填充，实现方式简单，克服了复杂的工艺过程，降低了工艺成本，并且使用该注入方式可以得到均匀的掺杂条。本发明尤其适用于半导体器件漂移区的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103985758A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410194278.7
申请日：2014-05-09
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/407
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件领域，具体的说是提出一种减小热载流子效应的横向高压器件。本发明为了克服传统横向高压器件的热载流子效应问题，在第一导电类型阱区中设置有轻掺杂的第一导电类型缓冲区，由于轻掺杂浅第一导电类型缓冲区的引入，减小了引入区域的第一导电类型阱区附近的电场强度，从而也就减小了热载流子注入到氧化层，器件由于热载流子效应造成的损伤降低，器件寿命增加。本发明尤其适用于横向高压器件。
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公开(公告)号：CN104600118A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410829923.8
申请日：2014-12-26
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0649 , H01L29/7816
Abstract: 本发明提供了一种减小热载流子效应的横向高压器件，属于半导体功率器件领域。本发明在传统横向高压器件的浅槽隔离区内设置了一个高介电常数介质块，使得第二导电类型阱区靠近高介电常数介质块附近的电场强度减小，载流子温度和碰撞电离率减小，抑制了热载流子注入到氧化层，有效降低了器件的热载流子效应，延长了器件的寿命。
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公开(公告)号：CN103545220A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310525073.8
申请日：2013-10-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0634
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向功率器件漂移区的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区1上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次；通过退火处理，形成N型掺杂条22和P型掺杂条21；在N型掺杂条22和P型掺杂条21之间刻蚀介质槽3；对介质槽3进行介质填充；平坦化去除多余的介质。本发明的有益效果为，有利地弥补了传统掺杂和注入无法形成一定深度的PN掺杂条的不足，同时制造过程中可以通过控制介质槽的深宽比、漂移区长度和N（P）型条的掺杂剂量，以及漂移区的浓度来控制器件的耐压。本发明尤其适用于横向功率器件漂移区的制造。
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公开(公告)号：CN103985758B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410194278.7
申请日：2014-05-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件领域，具体的说是提出一种减小热载流子效应的横向高压器件。本发明为了克服传统横向高压器件的热载流子效应问题，在第一导电类型阱区中设置有轻掺杂的第一导电类型缓冲区，由于轻掺杂浅第一导电类型缓冲区的引入，减小了引入区域的第一导电类型阱区附近的电场强度，从而也就减小了热载流子注入到氧化层，器件由于热载流子效应造成的损伤降低，器件寿命增加。本发明尤其适用于横向高压器件。
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公开(公告)号：CN103545350A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310526919.X
申请日：2013-10-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于横向高压器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第二深槽，对第二深槽进行填充并形成第二导电类型杂质条；在横向高压器件漂移区上刻蚀出第三深槽，在第三深槽中填充介质形成介质槽，介质槽的两侧分别与第一导电类型杂质条和第二导电类型杂质条连接。本发明的有益效果为，缓解了器件比导通电阻与耐压的矛盾关系，并且介质槽形成折叠漂移区，可缩小有源区面积，能够显著降低比导通电阻。本发明尤其适用于横向高压器件漂移区的制造。
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