-
公开(公告)号：CN108613754B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810366196.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/30
Abstract: 一种以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法，包括：(1)以c轴取向的AlN薄膜作为测温传感器，进行不同温度T下的等时退火处理后，再分别测试退火后薄膜的衍射峰半高宽F，得到F‑T标准曲线；(2)将同一批次的AlN薄膜埋设于被测热端部件的表层或表面，并随含被测热端部件的工作系统进行高温运转；(3)取出高温运转后的薄膜，测试其半高宽，通过对比F‑T标准曲线，得到与该衍射峰半高宽值相对应的温度值，即为被测热端部件的最高工作温度。本发明方法简单，无需引线及复杂测试设备，无需现场判读，可用于400～1000℃高温工作区间的温度测试，尤其适用于异型结构部件及高速旋转的测试环境下被测部件温度的测量。
-
公开(公告)号：CN109187660B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810968368.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器，属于氢气传感器技术领域。所述氢气传感器包括自上而下依次设置的上电极层、半导体薄膜层、敏感层、氢敏金属薄膜层和下电极层，所述敏感层为位于半导体薄膜层和氢敏金属薄膜层之间的柱状阵列结构，每个阵列单元包括与半导体薄膜层接触的半导体纳米柱、与氢敏金属薄膜接触的氢敏金属纳米柱、以及包覆于半导体纳米柱和氢敏金属纳米柱侧面的石墨烯网状结构。本发明氢气传感器具有对氢气选择性好、灵敏度高、响应速度快、精度高等优点。
-
公开(公告)号：CN109187660A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810968368.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器，属于氢气传感器技术领域。所述氢气传感器包括自上而下依次设置的上电极层、半导体薄膜层、敏感层、氢敏金属薄膜层和下电极层，所述敏感层为位于半导体薄膜层和氢敏金属薄膜层之间的柱状阵列结构，每个阵列单元包括与半导体薄膜层接触的半导体纳米柱、与氢敏金属薄膜接触的氢敏金属纳米柱、以及包覆于半导体纳米柱和氢敏金属纳米柱侧面的石墨烯网状结构。本发明氢气传感器具有对氢气选择性好、灵敏度高、响应速度快、精度高等优点。
-
公开(公告)号：CN108613754A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810366196.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/30
Abstract: 一种以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法，包括：(1)以c轴取向的AlN薄膜作为测温传感器，进行不同温度T下的等时退火处理后，再分别测试退火后薄膜的衍射峰半高宽F，得到F-T标准曲线；(2)将同一批次的AlN薄膜埋设于被测热端部件的表层或表面，并随含被测热端部件的工作系统进行高温运转；(3)取出高温运转后的薄膜，测试其半高宽，通过对比F-T标准曲线，得到与该衍射峰半高宽值相对应的温度值，即为被测热端部件的最高工作温度。本发明方法简单，无需引线及复杂测试设备，无需现场判读，可用于400～1000℃高温工作区间的温度测试，尤其适用于异型结构部件及高速旋转的测试环境下被测部件温度的测量。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
