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公开(公告)号：CN115313153B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202211049420.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器领域，具体为一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法，激光器自上而下依次设置有第一电极、P型布拉格反射单元、氧化限制层、有源层、拓展层、N型布拉格反射单元、衬底以及第二电极，P型布拉格反射单元包括层叠设置预设P‑DBR对数的P型布拉格反射层，N型布拉格反射单元包括层叠设置预设N‑DBR对数的N型布拉格反射层，解决了现有垂直腔面发射激光器线宽较大的问题。
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公开(公告)号：CN115864128A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211576131.5
申请日：2022-12-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种人工带隙结构光学谐振腔、其制备方法及一种激光器，涉及激光器技术领域，解决了现有的拓扑人工带隙结构光学谐振腔物态调控存在制备成本高、工艺复杂的问题。光学谐振腔自上而下包括：包层结构、至少一个第一插层、结构板、至少一个第二插层、衬底，第一插层及第二插层的厚度为结构板厚度的1/20～1/4，第一插层及第二插层的材质为气体、绝缘体或半导体材料中的任一种。通过在人工带隙结构的顶部和底部增加插层，调控人工带隙结构朝向顶部和朝向底部的辐射，实现了整数拓扑荷的生成、演变(聚合)、分裂和湮灭，从而有效提升了对光学谐振腔的损耗和光学模式的控制能力，制备成本较低，工艺相对简单。
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公开(公告)号：CN115799981A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211508073.2
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高折射率拓展腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，涉及半导体技术领域，解决了现有的垂直腔面发射激光器线宽较大，且现有技术窄线宽控制困难的问题。激光器自上而下包括，顶电极、p型布拉格反射镜组、氧化层、有源区、n型拓展层、n型布拉格反射镜组、衬底、底电极，所述n型拓展层为AlyGa1‑yAs，其中y为0.1～0.9。通过设置n型拓展层，并将n型拓展层设置为特定的材质，抑制了拓展层中电阻和自由载流子吸收，能够有效增长激光器的有效腔长，增大了谐振腔长，增大了输出功率，减小了线宽增强因子α，实现了压窄光谱线宽。
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公开(公告)号：CN115764548A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211513751.4
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耦合腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，涉及半导体技术领域，具体为一种耦合腔垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，解决了现有的垂直腔面发射激光器由于有效腔长较短，光谱线宽较大使其应用受限的问题。所述激光器自上而下包括，第一布拉格反射镜组、氧化层、有源区、第二布拉格反射镜组、无源腔、第三布拉格反射镜组、衬底，所述第一布拉格反射镜组远离所述氧化层的一侧设有第一电极，所述无源腔靠近所述第二布拉格反射镜组的一侧的两端设有第二电极。性能优异，腔长较长，线宽能达到小于20MHz的水平，比传统垂直腔面发射激光器的线宽小2个数量级以上，所能应用的领域更广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115442687A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211065575.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双振膜光学麦克风，包括平行设置可随声音共振的第一振膜和第二振膜，所述第一振膜、第二振膜以及支撑第一振膜、第二振膜的支撑件围成一谐振腔；所述第一振膜与第二振膜相邻的一面为反射面，所述第二振膜与第一振膜相邻的一面为透射面且与第一振膜远离的一面为半透半反面；包括光源，所述光源射出的光线被分光镜一分为二，其一束射入光源噪声探测器，另一束射向谐振腔；还包括低噪模拟放大器，所述低噪模拟放大器用于将主探测器探测到的光电流与光源噪声探测器探测到的光电流进行差分处理，并将差分处理后的电流信号转换为电压信号。本发明具有较高的灵敏度和信噪比，并且结构简单，易于加工制造。
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公开(公告)号：CN115442687B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211065575.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双振膜光学麦克风，包括平行设置可随声音共振的第一振膜和第二振膜，所述第一振膜、第二振膜以及支撑第一振膜、第二振膜的支撑件围成一谐振腔；所述第一振膜与第二振膜相邻的一面为反射面，所述第二振膜与第一振膜相邻的一面为透射面且与第一振膜远离的一面为半透半反面；包括光源，所述光源射出的光线被分光镜一分为二，其一束射入光源噪声探测器，另一束射向谐振腔；还包括低噪模拟放大器，所述低噪模拟放大器用于将主探测器探测到的光电流与光源噪声探测器探测到的光电流进行差分处理，并将差分处理后的电流信号转换为电压信号。本发明具有较高的灵敏度和信噪比，并且结构简单，易于加工制造。
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公开(公告)号：CN117543332A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311603251.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种人工带隙结构光学谐振腔、其制备方法及一种激光器，涉及激光器制备技术领域，解决了现有的带边光学谐振腔的制备需要复杂的工艺用于聚合连续域束缚态的问题。光学谐振腔自上而下包括：第一结构层、过渡层、正方晶格光子晶体层及衬底层，正方晶格光子晶体层包括由低折射率的数个圆柱体和高折射率的结构板，正方晶格光子晶体层上均匀设有多个孔洞，正方晶格光子晶体层用于提供非简并光子能带结构，获得相互耦合的相邻能带，使得参与耦合的每一条能带上具有分立的连续域束缚态。还提供上述的光学谐振腔的制备方法及一种激光器。实现了层间耦合调控分立连续域束缚态在波矢空间中的演变定则，改善了相应激光器的输出功率和光束质量。
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公开(公告)号：CN117543333A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311615090.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种人工带隙结构光学谐振腔、其制备方法及一种激光器，涉及激光器制备技术领域。解决了现有带边激光器的工艺要求高，激光器尚未实现电泵浦的问题。光学谐振腔包括衬底结构层，在衬底结构层上部依次设置了人工带隙结构层、中部结构层、上部结构层及顶电极，人工带隙结构板包括三角晶格光子晶体层，三角晶格光子晶体层包括底板和设在底板上的数个圆柱，三角晶格的周期为a纳米，圆柱的半径为0.2a纳米～0.3a纳米，圆柱的高度为0.6a纳米～0.8a纳米。通过能带工程优化二次色散能带向线性色散渐近，调控局域态密度，狄拉克‑连续域束缚态增大了基模和高阶模的品质因子对比度，改善了激光器的输出功率和光束质量。
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公开(公告)号：CN115313153A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211049420.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器领域，具体为一种不对称内腔调控的窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法，激光器自上而下依次设置有第一电极、P型布拉格反射单元、氧化限制层、有源层、拓展层、N型布拉格反射单元、衬底以及第二电极，P型布拉格反射单元包括层叠设置预设P‑DBR对数的P型布拉格反射层，N型布拉格反射单元包括层叠设置预设N‑DBR对数的N型布拉格反射层，解决了现有垂直腔面发射激光器线宽较大的问题。
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